IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, W. Z. Zhou

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000B42 (2010)		Gate-controlled electron-electron interactions in an In0.53Ga0.47As/InP quantum well structure
001250 (2007)		Weak antilocalization and beating pattern in an InGaAs/InAlAs quantum well
001318 (2007)		Pseudospin in Si δ-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs single quantum well

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Magnetic field effects
3	Magnetoresistance
3	Quantum wells
2	Aluminium arsenides
2	Gallium arsenides
2	III-V semiconductors
2	Indium arsenides
2	Oscillations
2	Planar doping
2	Two-dimensional electron gas
1	Asymmetry
1	Beats
1	Double barrier structure
1	Drude model
1	Electron-electron interactions
1	Gallium Indium Arsenides Mixed
1	High field
1	Indium phosphide
1	Interband transitions
1	Modulation doping
1	Potential well
1	Rashba effect
1	Self consistency
1	Shubnikov-de Haas effect
1	Spin-orbit interactions
1	Subband
1	Tunnel effect
1	Weak localisation

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « W. Z. Zhou »
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