IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, W. X. Wang

W. X. Que < W. X. Wang < W. Xiaochun

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001595 (2006)		Low temperature step-graded InAlAs/GaAs metamorphic buffer layers grown by molecular beam epitaxy
001609 (2006)		InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor grown by solid-source molecular beam epitaxy with a GaP decomposition source
001831 (2005)		Effect of the low-temperature buffer thickness on quality of insb grown on GaAs substrate by molecular beam epitaxy
001A23 (2004)		Effects of indium doping on the properties of AlAs/GaAs quantum wells and inverted AlGaAs/GaAs two-dimensional electron gas

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	Gallium arsenides
3	III-V semiconductors
3	Molecular beam epitaxy
3	Photoluminescence
3	Roughness
2	Aluminium arsenides
2	Atomic force microscopy
2	Binary compounds
2	Buffer layer
2	Experimental study
2	XRD
1	Adatoms
1	Carrier density
1	Carrier mobility
1	Crystal growth from vapors
1	Doping
1	Electrical properties
1	Electron mobility
1	Energy gap
1	Epitaxial film
1	Gallium phosphide
1	Hall effect
1	Hall mobility
1	Heterojunction bipolar transistors
1	Indium antimonides
1	Indium arsenides
1	Indium phosphide
1	Line width
1	Line widths
1	Metamorphism
1	Mismatch lattice
1	Optical properties
1	Phonons
1	Planar doping
1	Quantum wells
1	RHEED
1	Raman scattering
1	Rocking curve
1	Semiconductor materials
1	Size effect
1	Surface diffusion
1	Surface morphology
1	Temperature dependence
1	Ternary compounds
1	Thickness
1	Thin films
1	Two-dimensional electron gas
1	X ray diffraction

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « W. X. Wang »
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