IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, U. Jahn

U. H. Liaw < U. Jahn < Uang-Heay Liaw

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000B11 (2010)		Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
000C23 (2010)		Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer
001216 (2008)		Cathodoluminescence study of GaN-based film structures
001872 (2004-06-28)		Investigations on V-defects in quaternary AlInGaN epilayers

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
4	Cathodoluminescence
3	Spectral line shift
2	Gallium nitride
2	III-V semiconductors
2	Imaging
2	Indium nitride
2	MOCVD
2	Stress relaxation
2	Thick films
2	XRD
1	Aluminium compounds
1	Aluminium oxide
1	Binary compound
1	Compressive stress
1	Defect density
1	Defect formation
1	Dislocation
1	Dislocations
1	Epitaxial layers
1	Experimental study
1	Fluctuations
1	Gallium Indium Nitrides Mixed
1	Gallium compounds
1	Heterostructures
1	High resolution
1	III-V compound
1	Indium compounds
1	Injection laser
1	Lateral growth
1	Luminescence
1	Mechanical properties
1	Misfit dislocations
1	Multiple quantum well
1	Optical properties
1	Plasticity
1	Point defect
1	Red shift
1	Secondary electron
1	Semiconductor epitaxial layers
1	Spatial resolution
1	Surface morphology
1	Ternary compound
1	Thin films
1	Wide band gap semiconductors
1	p n junction

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « U. Jahn »
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