IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, S. Y. Huang

S. Y. Guo < S. Y. Huang < S. Y. Jing

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001555 (2006)		Separated AlxIn1-xN quantum dots grown by plasma-reactive co-sputtering
001B14 (2003-02-03)		Formation and structure of inverted hexagonal pyramid defects in multiple quantum wells InGaN/GaN
001B15 (2003-02-03)		Atomic-scale strain field and In atom distribution in multiple quantum wells InGaN/GaN

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	III-V semiconductors
2	Experimental study
2	Gallium compounds
2	Indium compounds
2	Scanning transmission electron microscopy
2	Semiconductor quantum wells
2	Wide band gap semiconductors
1	Aluminium nitrides
1	Deconvolution
1	Density
1	Dimensions
1	Dislocation structure
1	Field emission microscopy
1	Indium nitrides
1	Internal stresses
1	Microstructure
1	Quantum dots
1	Radiofrequency
1	Reactive sputtering
1	Scanning electron microscopy
1	Smoothing methods
1	Sputter deposition
1	Surface morphology
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « S. Y. Huang »
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