IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, L. Y. Shang

L. Y. Lin < L. Y. Shang < L. Y. Yang

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001092 (2008)		Modified LPE technique growth and properties of long wavelength InAs0.05Sb0.95 thick film
001250 (2007)		Weak antilocalization and beating pattern in an InGaAs/InAlAs quantum well
001318 (2007)		Pseudospin in Si δ-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs single quantum well

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Aluminium arsenides
2	Gallium arsenides
2	III-V semiconductors
2	Indium arsenides
2	Magnetic field effects
2	Magnetoresistance
2	Oscillations
2	Planar doping
2	Quantum wells
1	Absorption coefficients
1	Arsenic additions
1	Asymmetry
1	Beats
1	Carrier density
1	Double barrier structure
1	Electron mobility
1	Fourier transform spectra
1	Impurities
1	Indium Arsenides
1	Infrared spectra
1	Interband transitions
1	LPE
1	Lattice dynamics
1	Potential well
1	Raman spectra
1	Rashba effect
1	Self consistency
1	Semiconductor materials
1	Shubnikov-de Haas effect
1	Spin-orbit interactions
1	Subband
1	Thick films
1	Thickness
1	Tunnel effect
1	Two-dimensional electron gas
1	Weak localisation

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « L. Y. Shang »
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