IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, L. J. Hu

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Number of relevant bibliographic references: 6.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001009 (2008)		Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
001094 (2008)		Mn-including InAs quantum dots fabricated by Mn implantation
001484 (2007)		Anomalous photoluminescence of InAs quantum dots implanted by Mn ions
001522 (2006)		Temperature dependence of surface quantum dots grown under frequent growth interruption
001594 (2006)		MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting
001713 (2005)		The effect of In content on high-density InxGa1-xAs quantum dots

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
6	Photoluminescence
6	Quantum dots
5	Indium arsenides
4	Molecular beam epitaxy
4	Temperature effects
3	Annealing
3	Gallium arsenides
2	Growth mechanism
2	Growth rate
2	Ion implantation
2	Manganese additions
2	Segregation
2	Self-assembled layers
2	Surface morphology
2	Thermal stability
2	Wetting
1	Adatoms
1	Anomaly
1	Atom migration
1	Atomic force microscopy
1	Buffer layer
1	Chromium
1	Crystal growth
1	Defects
1	Density
1	Dispersive spectrometry
1	Doping
1	Epitaxial layers
1	Ferromagnetic materials
1	Ferromagnetism
1	Fluctuations
1	High temperature
1	III-V semiconductors
1	Impurity diffusion
1	Inorganic compounds
1	Interdiffusion
1	Interrupts
1	Metamorphism
1	Microstructure
1	Misfit dislocations
1	Semiconductor materials
1	Spectral line shift
1	Stress relaxation
1	Surface diffusion
1	Transition elements
1	Transmission electron microscopy

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « L. J. Hu »
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