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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « JIN LV »
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JIN CHANGCHUN < JIN LV < JIN MA  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 1.
Ident.Authors (with country if any)Title
001212 (2008) Charge storage characteristics of metal-induced nanocrystalline in erbium-doped amorphous silicon films

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
1Amorphous thin film
1Charge storage
1Doping
1Erbium
1Experimental result
1High density
1Indium additions
1Laser ablation technique
1Memory
1Nanocrystal
1Nanostructured materials
1Nanostructures
1Nucleation
1Rapid thermal annealing
1Semiconductor materials
1Silicon
1Silicon additions
1Thermal annealing
1Thin films

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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   |flux=    Chine
   |étape=   Analysis
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   |clé=    JIN LV
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Wicri

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024