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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine)

Index « Auteurs » - entrée « J. M. Olson »
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J. M. Mo < J. M. Olson < J. M. Wang  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 3.
Ident.Authors (with country if any)Title
002657 (1995-07) Annealing-induced near-surface ordering in disordered Ga0.5In0.5P
002662 (1995-06-05) Band gap of ''completely disordered'' Ga0.52In0.48P
002759 (1994-06-30) The band gap of ''perfectly disordered'' Ga0.52In0.48P

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
3Experimental study
3Gallium phosphides
3Indium phosphides
2Energy gap
2Excitons
2Order-disorder transformations
1Absorption spectra
1Annealing
1Band structure
1Diffusion
1Disordered systems
1LPE
1Lattice parameters
1Liquid phase epitaxy
1Molecular beam epitaxy
1Photoluminescence
1Semiconductor alloys
1Surface properties
1Temperature range 0000-0013 K
1Temperature range 0400-1000 K
1Thin films

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/Chine/Analysis

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   |clé=    J. M. Olson
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