IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, J. F. Wang

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001636 (2006)		Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
001728 (2005)		Study on the thermal stability of InN by in-situ laser reflectance system
001951 (2004)		Structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers grown by MOCVD with various TMGa flows
001996 (2004)		Indium mole fraction effect on the structural and optical properties of quaternary AlInGaN epilayers
001A25 (2004)		Effects of TMIn flow on the interface and optical properties of InGaN/GaN mutiple quantum wells
001A26 (2004)		Effect of trimethylgallium flow on the structural and optical properties of InGaN/GaN multiple quantum wells

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
6	Indium nitrides
6	XRD
5	Experimental study
4	Crystal growth from vapors
4	Gallium nitrides
4	III-V semiconductors
4	MOCVD
4	Photoluminescence
3	Binary compounds
3	CVD
2	Aluminium nitrides
2	Atomic force microscopy
2	Epitaxial layers
2	Interfaces
2	Multiple quantum well
2	Quaternary compounds
2	Semiconductor materials
2	Ternary compounds
2	Thin films
1	Activation energy
1	Angular variation
1	Chemical composition
1	Coalescence
1	Dislocation density
1	Droplets
1	Edge dislocations
1	Electroluminescence
1	Fluctuations
1	Growth mechanism
1	Hexagonal lattices
1	High temperature
1	In situ
1	Inorganic compounds
1	Isothermal annealing
1	Lasers
1	Localized states
1	MOVPE method
1	Microstructure
1	Monocrystals
1	Morphology
1	Mosaic structure
1	Non radiative recombination
1	Nucleation
1	Optical properties
1	Reflectivity
1	Roughness
1	Screw dislocations
1	Temperature
1	Temperature dependence
1	Temperature effects
1	Thermal stability
1	Thickness
1	Twist angle
1	V shape
1	VPE
1	Williamson-Hall plot
1	X-ray photoelectron spectra

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « J. F. Wang »
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