IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, G. Yang

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001B66 (2003)		Organic light emitting diodes with semitransparent metal cathode
002399 (1998)		High power 980 nm InGaAs/GaAs/AlGaAs window structure lasers fabricated by impurity-free vacancy diffusion
002405 (1998)		Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Gallium Arsenides
2	Indium Arsenides
2	Semiconductor lasers
2	Strained quantum well
2	Ternary compounds
1	Aluminium Arsenides
1	Aluminium complex
1	Binary compounds
1	Cathode
1	Dielectric materials
1	Electrode material
1	Gallium Phosphides
1	High power
1	Indium Phosphides
1	Indium oxide
1	Insulating thin films
1	Light emitting diode
1	Lithium fluoride
1	MOVPE method
1	Metallic thin films
1	Optoelectronic device
1	Organic compounds
1	Performance characteristic
1	Periodic structure
1	Photonic crystal
1	Quaternary compounds
1	Semitransparent material
1	Silver
1	Tin addition

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « G. Yang »
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