IndiumV3, Chine, Analysis, indexItem, Author.i, B. P. Zhang

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000222 (2013)		Improved photovoltaic performance of InGaN/GaN solar cells with optimized transparent current spreading layers
000740 (2011)		Preparation and properties of Ni/InGaN/GaN Schottky barrier photovoltaic cells
000830 (2011)		High-reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors grown on sapphire substrates by MOCVD

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	Binary compound
2	Gallium Nitrides
2	Gallium nitride
2	III-V semiconductors
2	Indium nitride
2	Nickel
2	Solar cell
2	Ternary compound
1	Aluminium Nitrides
1	Atomic force microscopy
1	Band structure
1	Binary compounds
1	Bragg reflection
1	Calcium nitride
1	Comparative study
1	Crystalline material
1	Damaging
1	Dark current
1	Distributed Bragg reflection
1	Energy gap
1	Experimental study
1	Fill factor
1	Gold
1	High performance
1	ITO layers
1	Indium Nitrides
1	Indium oxide
1	MOCVD
1	Open circuit voltage
1	Optimization
1	Output power
1	Performance evaluation
1	Photovoltaic effect
1	Power density
1	Reflectivity
1	Response function
1	Rocking curve
1	Roughness
1	Schottky barrier
1	Schottky barrier solar cells
1	Semitransparent material
1	Short circuit currents
1	Tin oxide

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Chine) Index « Auteurs » - entrée « B. P. Zhang »
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