IndiumV1, Main, Exploration, bibRecord, 000236

Sélection de modes dďun laser Fabry-Pérot InGaAsP à 1,5 µm par la transition I15/2 -→I13/2 de Er3+

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Sélection de modes dďun laser Fabry-Pérot InGaAsP à 1,5 µm par la transition I15/2 -→I13/2 de Er3+

Auteurs : RBID : ISTEX:12243_1993_Article_BF02995490.pdf

Abstract

LĽarticle étudie la sélection de modes dľun laser Fabry-Pérot InGaAsP multimode à 1,5 µm par lľutilisation des absorptions atomiques de ľion Er3+, Cette nouvelle technique consiste à insérer des échantillons dopés Er3+ dans la cavité laser. Le processus de sélection de mode n’est pas lié à un effet Fabry-Pérot de ces échantillons, mais à lľabsorption linéaire entre niveaux Stark de lľion Er3+ dans la matrice. LĽétude comprend une partie théorique (modélisation) et une partie expérimental. On montre que lľon peut obtenir un taux de réjection de mode de 35 dB en combinant dans la cavité laser deux lames dopées Er3+, respectivement de LiYF4: Er3+ orientée de type π et de Er3 (Al, Ga)5O12- Le prototype dľun laser compact a été réalise avec une longueur totale de cavité de 450 µm. Ce procédé à la fois simple et economique permet dľ obtenir une réjection aussi bonne que celle fournie par la technique dfb (distributed feedback) mais à une fréquence qui peut être prédéterminée a 0,5 nm prés de maniére absolue par la transition de Er3+ dans sa matrice.

DOI: 10.1007/BF02995490

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<abstract lang="eng">This work aimed to study Fabry-Pérot InGaAsP laser mode selection at 1.5 µm by means of atomic absorptions of ion Er3+. This new mode selection technic is not linked with a Fabry-Pérot effect coming from geometrical properties of the doped samples, but is caused by linear absorption between Stark levels of Er3+ in its own matrix. The study is divided into two points: theoretical simulation and experiments. It is shown that a side mode rejection of 35 dB is obtained by combining a LiYF4:Er3+ crystal π oriented with a Er3 (Al, Ga)5O12 one inside the laser cavity. A compact laser prototype of an over all length of 450 µm as also been obtained. This mode selection method which is both simple and economic allows to obtain results about as good as with dfb (distributed feed-back) lasers but at a predetermined absolute wavelength (± 0.5 nm) fixed by Er3+ doped samples transitions.</abstract>
<subject lang="fre"><genre>Mots clés</genre>
<topic>Laser semiconducteur</topic>
<topic>Mode laser</topic>
<topic>Laser multimodal</topic>
<topic>Indium gallium arséniure phosphore</topic>
<topic>Transition atomique</topic>
<topic>Erbium</topic>
<topic>Résonateur Fabry Pérot</topic>
<topic>Absorption résonante</topic>
<topic>Key words</topic>
<topic>Semiconductor laser</topic>
<topic>Laser mode</topic>
<topic>Multimode laser</topic>
<topic>Indium gallium arsenide phosphide</topic>
<topic>Atomic transition</topic>
<topic>Erbium</topic>
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<topic>Resonant absorption.</topic>
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<relatedItem type="series"><titleInfo type="abbreviated"><title>Ann. Télécommun.</title>
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<titleInfo><title>Annales Des Télécommunications</title>
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