Faisabilité et croissance avec haute reproductibilité de multicouches métalliques à magnétorésistance géante par pulvérisation diode RF
Identifieur interne :
000334 ( PascalFrancis/Corpus );
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000333;
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000335
Faisabilité et croissance avec haute reproductibilité de multicouches métalliques à magnétorésistance géante par pulvérisation diode RF
Auteurs : J. B. Youssef ;
H. Le Gall ;
K. Bouziane ;
M. El Harfaoui ;
O. Koshkina ;
J. M. Desvignes ;
A. FertSource :
-
Journal de physique. IV [ 1155-4339 ] ; 1996.
RBID : Pascal:97-0188156
Descripteurs français
- Pascal (Inist)
- Etude expérimentale,
Couche mince,
Multicouche,
Croissance cristalline en phase vapeur,
Pulvérisation haute fréquence,
Mode opératoire,
Magnétorésistance géante,
Interface solide solide,
Texture,
Rugosité,
Relation structure propriété,
Effet dimensionnel,
Cobalt,
Cuivre,
8115C,
6865,
7570P,
Co,
Cu.
English descriptors
- KwdEn :
- Cobalt,
Copper,
Crystal growth from vapors,
Experimental study,
Giant magnetoresistance,
Multilayers,
Operating mode,
Property structure relationship,
Radiofrequency sputtering,
Roughness,
Size effect,
Solid-solid interfaces,
Texture,
Thin films.
Abstract
Les objectifs du présent travail sont de deux ordres : d'abord obtenir le rapport de MRG, ΔR/R, le plus élevé dans des multicouches Co/Cu élaborées à partir du procédé inhabituel de pulvérisation par diode radiofréquence (RF). En second, analyser les corrélations entre la MRG d'une part et les textures et rugosités interfaciales déduites des diffractions X aux petits et glands angles et de la microscopie à force atomique (MFA) d'autre part. A cet effet, nous avons cherché à induire différentes structures interfaciales en modifiant les paramètres de pulvérisation (pression du gaz pulvérisant PAr) ce qui, par ailleurs, a permis de definir les conditions optimales de dépôt pour l'obtention d'une MRG élevée. L'influence de l'épaisseur tco du film Co a été étudiée pour une épaisseur du film de Cu = 9Å correspondant au premier maximum de la dépendance oscillatoire avec tcu du rapport de MRG. De ces résultats, nous concluons que le paramètre pertinent est la rugosité interfaciale qui induit un effet important à la fois sur la MRG et sur la résistivité des super-réseaux. Un changement de pente de Rs-1 en fonction de t2co est attribué à une augmentation de l'effet de rugosité quand tco décroît de l'échelle mésoscopique (tco> 25Å) vers l'échelle nanoscopique (tc0< 25Å).
Notice en format standard (ISO 2709)
Pour connaître la documentation sur le format Inist Standard.
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Format Inist (serveur)
| NO : | PASCAL 97-0188156 INIST |
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| FT : | Faisabilité et croissance avec haute reproductibilité de multicouches métalliques à magnétorésistance géante par pulvérisation diode RF |
|---|
| ET : | (Feasibility and growth of high reproducible metallic multilayers with giant magnetoresistance by RF diode sputtering) |
|---|
| AU : | YOUSSEF (J. B.); LE GALL (H.); BOUZIANE (K.); EL HARFAOUI (M.); KOSHKINA (O.); DESVIGNES (J. M.); FERT (A.); CORBEL (Catherine) |
|---|
| AF : | CNRS-LMIMS/92195 Meudon-Bellevue/France (1 aut., 2 aut., 3 aut., 5 aut., 6 aut.); Université Ibn Tofail, Faculté des Sciences, BP. 133/Kenitra/Maroc (4 aut.); UMR, CNRS-THCSF/91404 Orsay/France (7 aut.); CEA Saclay, INSTN/UEPEM/91191 Gif sur Yvette/France (1 aut.) |
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| DT : | Publication en série; Congrès; Niveau analytique |
|---|
| SO : | Journal de physique. IV; ISSN 1155-4339; France; Da. 1996; Vol. 6; No. 7; C7.161-C7.166; Bibl. 9 ref. |
|---|
| LA : | Français |
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| FA : | Les objectifs du présent travail sont de deux ordres : d'abord obtenir le rapport de MRG, ΔR/R, le plus élevé dans des multicouches Co/Cu élaborées à partir du procédé inhabituel de pulvérisation par diode radiofréquence (RF). En second, analyser les corrélations entre la MRG d'une part et les textures et rugosités interfaciales déduites des diffractions X aux petits et glands angles et de la microscopie à force atomique (MFA) d'autre part. A cet effet, nous avons cherché à induire différentes structures interfaciales en modifiant les paramètres de pulvérisation (pression du gaz pulvérisant PAr) ce qui, par ailleurs, a permis de definir les conditions optimales de dépôt pour l'obtention d'une MRG élevée. L'influence de l'épaisseur tco du film Co a été étudiée pour une épaisseur du film de Cu = 9Å correspondant au premier maximum de la dépendance oscillatoire avec tcu du rapport de MRG. De ces résultats, nous concluons que le paramètre pertinent est la rugosité interfaciale qui induit un effet important à la fois sur la MRG et sur la résistivité des super-réseaux. Un changement de pente de Rs-1 en fonction de t2co est attribué à une augmentation de l'effet de rugosité quand tco décroît de l'échelle mésoscopique (tco> 25Å) vers l'échelle nanoscopique (tc0< 25Å). |
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| CC : | 001B80A15C; 001B60H65; 001B70E70P; 240 |
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| FD : | Etude expérimentale; Couche mince; Multicouche; Croissance cristalline en phase vapeur; Pulvérisation haute fréquence; Mode opératoire; Magnétorésistance géante; Interface solide solide; Texture; Rugosité; Relation structure propriété; Effet dimensionnel; Cobalt; Cuivre; 8115C; 6865; 7570P; Co; Cu |
|---|
| FG : | Métal transition |
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| ED : | Experimental study; Thin films; Multilayers; Crystal growth from vapors; Radiofrequency sputtering; Operating mode; Giant magnetoresistance; Solid-solid interfaces; Texture; Roughness; Property structure relationship; Size effect; Cobalt; Copper |
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| EG : | Transition elements |
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| GD : | Verfahrensausfuehrung |
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| SD : | Pulverización alta frecuencia; Método operatorio; Relación estructura propiedad |
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| LO : | INIST-125C.354000062944420190 |
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Links to Exploration step
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) ce qui, par ailleurs, a permis de definir les conditions optimales de dépôt pour l'obtention d'une MRG élevée. L'influence de l'épaisseur t<sub>co</sub>
du film Co a été étudiée pour une épaisseur du film de Cu = 9Å correspondant au premier maximum de la dépendance oscillatoire avec t<sub>cu</sub>
du rapport de MRG. De ces résultats, nous concluons que le paramètre pertinent est la rugosité interfaciale qui induit un effet important à la fois sur la MRG et sur la résistivité des super-réseaux. Un changement de pente de Rs<sup>-1</sup>
en fonction de t<sup>2</sup>
<sub>co</sub>
est attribué à une augmentation de l'effet de rugosité quand t<sub>co</sub>
décroît de l'échelle mésoscopique (t<sub>co</sub>
> 25Å) vers l'échelle nanoscopique (t<sub>c0</sub>
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</fA45><fA47 i1="01" i2="1"><s0>97-0188156</s0>
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</fA66><fA68 i1="01" i2="1" l="ENG"><s1>Feasibility and growth of high reproducible metallic multilayers with giant magnetoresistance by RF diode sputtering</s1>
</fA68><fC01 i1="01" l="FRE"><s0>Les objectifs du présent travail sont de deux ordres : d'abord obtenir le rapport de MRG, ΔR/R, le plus élevé dans des multicouches Co/Cu élaborées à partir du procédé inhabituel de pulvérisation par diode radiofréquence (RF). En second, analyser les corrélations entre la MRG d'une part et les textures et rugosités interfaciales déduites des diffractions X aux petits et glands angles et de la microscopie à force atomique (MFA) d'autre part. A cet effet, nous avons cherché à induire différentes structures interfaciales en modifiant les paramètres de pulvérisation (pression du gaz pulvérisant P<sub>Ar</sub>
) ce qui, par ailleurs, a permis de definir les conditions optimales de dépôt pour l'obtention d'une MRG élevée. L'influence de l'épaisseur t<sub>co</sub>
du film Co a été étudiée pour une épaisseur du film de Cu = 9Å correspondant au premier maximum de la dépendance oscillatoire avec t<sub>cu</sub>
du rapport de MRG. De ces résultats, nous concluons que le paramètre pertinent est la rugosité interfaciale qui induit un effet important à la fois sur la MRG et sur la résistivité des super-réseaux. Un changement de pente de Rs<sup>-1</sup>
en fonction de t<sup>2</sup>
<sub>co</sub>
est attribué à une augmentation de l'effet de rugosité quand t<sub>co</sub>
décroît de l'échelle mésoscopique (t<sub>co</sub>
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<s2>NC</s2>
<s5>14</s5>
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<FT>Faisabilité et croissance avec haute reproductibilité de multicouches métalliques à magnétorésistance géante par pulvérisation diode RF</FT>
<ET>(Feasibility and growth of high reproducible metallic multilayers with giant magnetoresistance by RF diode sputtering)</ET>
<AU>YOUSSEF (J. B.); LE GALL (H.); BOUZIANE (K.); EL HARFAOUI (M.); KOSHKINA (O.); DESVIGNES (J. M.); FERT (A.); CORBEL (Catherine)</AU>
<AF>CNRS-LMIMS/92195 Meudon-Bellevue/France (1 aut., 2 aut., 3 aut., 5 aut., 6 aut.); Université Ibn Tofail, Faculté des Sciences, BP. 133/Kenitra/Maroc (4 aut.); UMR, CNRS-THCSF/91404 Orsay/France (7 aut.); CEA Saclay, INSTN/UEPEM/91191 Gif sur Yvette/France (1 aut.)</AF>
<DT>Publication en série; Congrès; Niveau analytique</DT>
<SO>Journal de physique. IV; ISSN 1155-4339; France; Da. 1996; Vol. 6; No. 7; C7.161-C7.166; Bibl. 9 ref.</SO>
<LA>Français</LA>
<FA>Les objectifs du présent travail sont de deux ordres : d'abord obtenir le rapport de MRG, ΔR/R, le plus élevé dans des multicouches Co/Cu élaborées à partir du procédé inhabituel de pulvérisation par diode radiofréquence (RF). En second, analyser les corrélations entre la MRG d'une part et les textures et rugosités interfaciales déduites des diffractions X aux petits et glands angles et de la microscopie à force atomique (MFA) d'autre part. A cet effet, nous avons cherché à induire différentes structures interfaciales en modifiant les paramètres de pulvérisation (pression du gaz pulvérisant P<sub>Ar</sub>
) ce qui, par ailleurs, a permis de definir les conditions optimales de dépôt pour l'obtention d'une MRG élevée. L'influence de l'épaisseur t<sub>co</sub>
du film Co a été étudiée pour une épaisseur du film de Cu = 9Å correspondant au premier maximum de la dépendance oscillatoire avec t<sub>cu</sub>
du rapport de MRG. De ces résultats, nous concluons que le paramètre pertinent est la rugosité interfaciale qui induit un effet important à la fois sur la MRG et sur la résistivité des super-réseaux. Un changement de pente de Rs<sup>-1</sup>
en fonction de t<sup>2</sup>
<sub>co</sub>
est attribué à une augmentation de l'effet de rugosité quand t<sub>co</sub>
décroît de l'échelle mésoscopique (t<sub>co</sub>
> 25Å) vers l'échelle nanoscopique (t<sub>c0</sub>
< 25Å).</FA><CC>001B80A15C; 001B60H65; 001B70E70P; 240</CC>
<FD>Etude expérimentale; Couche mince; Multicouche; Croissance cristalline en phase vapeur; Pulvérisation haute fréquence; Mode opératoire; Magnétorésistance géante; Interface solide solide; Texture; Rugosité; Relation structure propriété; Effet dimensionnel; Cobalt; Cuivre; 8115C; 6865; 7570P; Co; Cu</FD>
<FG>Métal transition</FG>
<ED>Experimental study; Thin films; Multilayers; Crystal growth from vapors; Radiofrequency sputtering; Operating mode; Giant magnetoresistance; Solid-solid interfaces; Texture; Roughness; Property structure relationship; Size effect; Cobalt; Copper</ED>
<EG>Transition elements</EG>
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