Serveur d'exploration sur le thulium - Checkpoint (Pascal)

Index « PascalFr.i » - entrée « Caractéristique courant tension »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Caractéristique capacité tension < Caractéristique courant tension < Caractéristique fonctionnement  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 8.
Ident.Authors (with country if any)Title
000233 (2011) QINGBEI LI [République populaire de Chine] ; JIANMING LIN [République populaire de Chine] ; JIHUAI WU [République populaire de Chine] ; ZHANG LAN [République populaire de Chine] ; YUE WANG [République populaire de Chine] ; FUGUO PENG [République populaire de Chine] ; MIAOLIANG HUANG [République populaire de Chine]Enhancing photovoltaic performance of dye-sensitized solar cell by rare-earth doped oxide of Lu2O3:(Tm3+, Yb3+)
000478 (2009) B. J. Madhu [Inde] ; H. S. Jayanna [Inde] ; S. Asokan [Inde]High field electrical switching behavior of Ge10Se90-xTlx glasses
000867 (2006) S. A. M. Lima [Brésil] ; M. R. Davolos [Brésil] ; C. Legnani [Brésil] ; W. G. Quirino [Brésil] ; M. Cremona [Brésil]Low voltage electroluminescence of terbium- and thulium-doped zinc oxide films
000E00 (2001) C. H. Lin [États-Unis] ; R. J. Hwu ; L. P. Sadwick ; D. HeoMolecular beam epitaxy growth of TmP/GaAs and transistor action in GaP/TmP/GaAs heterostructures
001062 (1999) ZIRUO HONG [République populaire de Chine] ; WENLIAN LI [République populaire de Chine] ; DONGXU ZHAO [République populaire de Chine] ; CHUNJUN LIANG [République populaire de Chine] ; XINGYUAN LIU [République populaire de Chine] ; JUNBIAO PENG [République populaire de Chine] ; DAN ZHAO [République populaire de Chine]Spectrally-narrow blue light-emitting organic electroluminescent devices utilizing thulium complexes
001850 (1993) A. A. Zhukov [Russie] ; H. Kupfer ; S. A. Klestov [Russie] ; V. I. Voronkova [Russie] ; V. K. Yanovsky [Russie]Peak-effect, scaling behavior and voltage-current characteristics for TmBa2Cu3O7-δ single crystal
001B40 (1990) G. Guillaud ; MANAA AL SADOUN ; M. Maitrot ; J. Simon ; M. BouvetField-effect transistors based on intrinsic molecular semiconductors
001C91 (1987) T. Yamashita ; A. Kawakami ; T. Nishihara ; M. Takata ; K. KishioRf power dependence of ac Josephson current in point-contacts of BaY(Tm)CuO ceramics

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=$WICRI_ROOT/Wicri/Terre/explor/ThuliumV1/Data/Pascal/Checkpoint
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Pascal/Checkpoint/PascalFr.i -k "Caractéristique courant tension" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Pascal/Checkpoint/PascalFr.i  \
                -Sk "Caractéristique courant tension" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/Pascal/Checkpoint/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=    Wicri/Terre
   |area=    ThuliumV1
   |flux=    Pascal
   |étape=   Checkpoint
   |type=    indexItem
   |index=    PascalFr.i
   |clé=    Caractéristique courant tension
}}

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.6.21.
Data generation: Thu May 12 08:27:09 2016. Site generation: Thu Mar 7 22:33:44 2024