Ident. | Authors (with country if any) | Title |
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000282 (2014) |
Guixin Yang [République populaire de Chine] ; Ruichan Lv ; Shili Gai ; Yunlu Dai ; Fei He ; Piaoping Yang | Multifunctional SiO2@Gd2O3:Yb/Tm hollow capsules: controllable synthesis and drug release properties. |
000612 (2013) |
DONGYULI [République populaire de Chine] ; YUXIAOWANG [République populaire de Chine] ; XUERUZHANG [République populaire de Chine] ; GUANGSHI [République populaire de Chine] ; GANG LIU [République populaire de Chine] ; YINGLIN SONG [République populaire de Chine] | White upconversion emission in Yb3+/Tm3+/Ho3+ doped SrMoO4 nanocrystals by high excited state energy transfer |
000655 (2013) |
YI SUN [République populaire de Chine] ; MILIN ZHANG [République populaire de Chine] ; WEI HAN [République populaire de Chine] ; MEI LI [République populaire de Chine] ; KE YE [République populaire de Chine] ; YUSHENG YANG [République populaire de Chine] ; YONGDE YAN [République populaire de Chine] ; MENG ZHANG [République populaire de Chine] | Electrochemical Preparation of Al-Li-Er-Tm Alloys by Co-reduction |
000687 (2012) |
Lili Xing [République populaire de Chine] ; Xiaohong Wu ; Rui Wang ; Wei Xu ; Yannan Qian | Upconversion white-light emission in Ho3+/Yb3+/Tm3+ tridoped LiNbO3 single crystal. |
000B25 (2011) |
X. L. Zhang [République populaire de Chine] ; L. Li [République populaire de Chine] ; Y. F. Liu [République populaire de Chine] ; Y. F. Peng [République populaire de Chine] ; J. H. Cui [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] | Stable microsecond pulsewidth passively Q-switched Tm,Ho:YLF laser |
000B50 (2011) |
G. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; P. B. Meng [République populaire de Chine] ; W. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | InGaAs/GaAs saturable absorber for diode-pumped passively Q-switched mode-locking of Tm,Ho:YVO4 laser |
000D13 (2010) |
Y. Tian [République populaire de Chine] ; J. Q. Zhao [République populaire de Chine] ; W. Gao [République populaire de Chine] ; W. Wang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Narrow line‐width Tm3+ doped double‐clad silica fiber laser based on in‐line cascade biconical tapers filter |
000D98 (2010) |
X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; T. H. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Stable output, high power diode-pumped Tm:YLF laser with a volume Bragg grating |
000E06 (2010) |
X. L. Zhang [République populaire de Chine] ; L. Li [République populaire de Chine] ; J. H. Cui [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Single longitudinal mode and continuously tunable frequency Tm,Ho:YLF laser with two solid etalons |
000E09 (2010) |
B.-Q. Yao [République populaire de Chine] ; X.-M. Duan [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; Y.-L. Ju [République populaire de Chine] ; Y.-Z. Wang [République populaire de Chine] ; G.-J. Zhao [République populaire de Chine] | Q-switched operation of an in-band-pumped Ho:LuAG laser with kilohertz pulse repetition frequency |
000E53 (2010) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; P. B. Meng [République populaire de Chine] ; G. L. Zhu [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | High power diode-pumped continuous wave and Q-switch operation of Tm,Ho:YVO4 laser |
000E89 (2010) |
XINLU ZHANG [République populaire de Chine] ; LIANG YANG [République populaire de Chine] ; LI LI [République populaire de Chine] ; JINHUI CUI [République populaire de Chine] ; YOULUN JU [République populaire de Chine] ; YUEZHU WANG [République populaire de Chine] | Bistable performances of diode-end-pumped quasi-three-level Tm,Ho:YLF lasers |
000F85 (2009) |
Xinlu Zhang [République populaire de Chine] ; Yuezhu Wang [République populaire de Chine] ; Li Li [République populaire de Chine] ; Youlun Ju [République populaire de Chine] ; Yufeng Peng [République populaire de Chine] | The effects of energy transfer upconversion on end-pumped Q-switched Tm, Ho:YLF lasers |
000F88 (2009) |
B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; L. Ke [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; G. Li [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Stable wavelength, narrow linewidth diode‐pumped Tm:YLF laser with double etalons |
000F92 (2009) |
C. T. Wu ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Q. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; F. Chen [République populaire de Chine] ; R. L. Zhou [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Room temperature operation of single frequency Tm:LuAG laser end‐pumped by laser‐diode |
001002 (2009) |
T. H. Wang ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; X. M. Duan [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; X. T. Yang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Narrow linewidth continuous wave diode‐pumped Tm:YLF laser with a volume Bragg grating |
001023 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Dual diodes end‐pumped Q‐switch operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
001024 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. J. Zhang [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Double diode‐pumped continuous wave operation of a c‐cut 2044‐nm Tm,Ho:YAlO3 laser |
001026 (2009) |
Z. G. Wang ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; C. T. Wu [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | Diode‐pumped injection‐seeded Tm,Ho:GdVO4 laser |
001034 (2009) |
L. J. Li [République populaire de Chine] ; B. Q. Yao [République populaire de Chine] ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] ; Z. G. Wang [République populaire de Chine] | Continuous wave and AO Q‐switch operation Tm,Ho:YAP laser pumped by a laser diode of 798 nm |
001040 (2009) |
Z. G. Wang ; C. W. Song [République populaire de Chine] ; Y. F. Li [République populaire de Chine] ; Y. L. Ju [République populaire de Chine] ; Y. Z. Wang [République populaire de Chine] | CW and pulsed operation of a diode‐end‐pumped Tm:GdVO4 laser at room temperature |