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Serveur d'exploration sur le thulium - Analysis (Allemagne)

Index « Auteurs » - entrée « F. Scholz »
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F. Rösch < F. Scholz < F. Schotz  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
000552 (1992) F. Scholz [Allemagne] ; J. Weber [Allemagne] ; D. Ottenw Lder [Allemagne] ; K. Pressel [Allemagne] ; C. Hiller [Allemagne] ; A. Dörnen [Allemagne] ; K. Locke [Allemagne] ; F. Cordeddu [Allemagne] ; D. Wiedmann [Allemagne]Tm doping of III–V semiconductors by MOVPE
000570 (1992) K. Pressel [Allemagne] ; J. Weber ; C. Hiller ; D. Ottenw Lder ; W. Kürner ; A. Dörnen ; F. Scholz ; K. Locke ; D. Wiedmann ; F. CordedduTm3+-related emissions in III-V semiconductors grown by metalorganic vapor phase epitaxy

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
2Experimental study
2Gallium Indium Phosphides Mixed
2Photoluminescence
2Semiconductor materials
2Thulium
1Appi
1Atmospheric pressure
1Carrier mobilities
1Charge carrier mobility
1Charge states
1Codoping
1Crystal growth
1Decay mechanisms
1Doped semiconductors
1Doping
1Doping partner
1Electrical measurements
1Electrical properties
1Epitaxy
1Gaas
1Gaas layers
1Gainp
1Gallium Arsenides
1Gallium Phosphides
1Growth from vapor
1Growth mechanism
1III-V compound
1Impurity
1Indium Phosphides
1Inorganic compound
1Movpe
1Optical properties
1Optical spectroscopy
1Optical transition
1Optical transitions
1Organometallic compound
1Phys
1Pomrenke
1Precursor
1Respective precursors
1Room temperature
1Scholz
1Semiconductor
1Semiconductor host
1Semiconductor hosts
1Slight decrease
1Sulfur
1Thin film
1Various semiconductor hosts
1Zinc

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   |flux=    Allemagne
   |étape=   Analysis
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   |index=    Author.i
   |clé=    F. Scholz
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