Serveur d'exploration sur le nickel au Maghreb - Curation (Istex)

Index « AbsEn.i » - entrée « annealing »
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EXPLOR_STEP=$WICRI_ROOT/Wicri/Terre/explor/NickelMaghrebV1/Data/Istex/Curation
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Istex/Curation/AbsEn.i -k "annealing" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/Istex/Curation/AbsEn.i  \
                -Sk "annealing" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/Istex/Curation/biblio.hfd 

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{{Explor lien
   |wiki=    Wicri/Terre
   |area=    NickelMaghrebV1
   |flux=    Istex
   |étape=   Curation
   |type=    indexItem
   |index=    AbsEn.i
   |clé=    annealing
}}

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