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Index « Keywords » - entrée « Gallium Arsenides phosphides »
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Gallium Arsenides nitrides < Gallium Arsenides phosphides < Gallium Atomic ions  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 6.
Ident.Authors (with country if any)Title
000153 (2009) Impurity photoconductivity in strained p-InGaAs/GaAsP heterostructures
000692 (2003) Auger recombination in strained InGaAsP quantum wells with eg = 0.7-1.6 eV
000D88 (1999) High-power and high-temperature operation of InGaAsP/InP multiple quantum well lasers
000F76 (1998) A thermodynamic analysis of the growth of III-V compounds with two volatile group V elements by molecular-beam epitaxy
001242 (1996) Liquid phase epitaxy of highly strained InGaAsP/GaAs films in the 1.4-1.8 eV interval of band gaps
001784 (1991) Line profile of a bound exciton in a piezoelectric semiconductor solid solution

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