IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, Yu. V. Shmartsev

Yu. V. Shaldin < Yu. V. Shmartsev < Yu. V. Synorov

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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001569 (1993)		Feasibility of formation of In0.52Al0.48As films isoperiodic with the InP substrates by liquid phase epitaxy at low (∼650°C)
001902 (1990)		Mechanism of the influence of isovalent in impurities on the properties and ensemble of defects in GaAs grown by the molecular beam epitaxy method
001A38 (1989)
001B20 (1988)
001B64 (1988)
001C68 (1987)
001D55 (1986)
001D70 (1986)
001E18 (1985)
001E19 (1985)
001E72 (1984)
001E94 (1984)

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
9	Experimental study
8	Inorganic compound
8	Semiconductor materials
6	Doping
6	Photoluminescence
5	Thin film
4	Acceptor center
4	Gallium Arsenides
4	Indium
4	Indium Phosphides
3	Epitaxial film
3	Gallium Indium Arsenides Mixed
3	Heterojunction
2	Charge carrier concentration
2	Charge carrier recombination
2	Chemical composition
2	Crystal defect density
2	Crystal growth
2	Donor center
2	Electron gas
2	Epitaxy
2	Exciton
2	Impurity density
2	Magnetoconductivity
2	Non stoichiometric composition
2	Solid solution
1	Aluminium Gallium Arsenides Mixed
1	Aluminium arsenides
1	Antimony
1	Band structure
1	Bismuth
1	Carbon
1	Characterization
1	Charge carrier mobility
1	Compensation
1	Dislocation
1	Electric current
1	Electrical conductivity
1	Electrical instability
1	Energy gap
1	Filament
1	Gallium Antimonides
1	Gallium Indium Arsenides phosphides Mixed
1	Growth from liquid
1	Heterogeneity
1	Hole
1	Impurity
1	Impurity site
1	Indium Antimonides arsenides
1	Indium Antimonides phosphides
1	Indium arsenides
1	Interface
1	LPE
1	Lanthanide
1	Liquid state
1	Localized electron
1	Low temperature
1	Magnetic field
1	Molecular beam condensation
1	Oxidation number
1	Peltier effect
1	Point defect
1	Preparation
1	Radiative recombination
1	Single crystal
1	Spin orbit interaction
1	Sublattice
1	Substrates
1	Suppression
1	Temperature
1	Ternary compounds
1	Thin films
1	Two dimensional system
1	Vacancy
1	X ray spectrum

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

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