IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, Y. V. Shmartsev

Y. V. Rud < Y. V. Shmartsev < Y. V. Solov Ev

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001663 (1992)		Isovalent gallium and arsenic impurity doping of InP grown by liquid-phase epitaxy
001748 (1991)		Raman scattering in epitaxial GaAs filmd doped with isovalent Bi and In impurities : influence of defects and plasmophonon damping
001801 (1991)		Influence of isovalent doping with indium on the properties of epitaxial gallium arsenide films grown from the vapor phase

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Nombre de documents	Descripteur
3	Experimental study
3	Impurity density
3	Inorganic compound
3	Semiconductor materials
2	Charge carrier mobility
2	Doping
2	Gallium Arsenides
2	Indium
2	Photoluminescence
1	Arsenic
1	Bismuth
1	Charge carrier concentration
1	Crystal defect density
1	Damping
1	Dislocation density
1	Epitaxial film
1	Frequency
1	Gallium
1	Impurity
1	Indium Phosphides
1	Lattice parameters
1	Low temperature
1	Phonon mode
1	Plasmon
1	Plasmon phonon interaction
1	Radiation polarization
1	Radiative recombination
1	Raman scattering
1	Temperature

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

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