IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, V. A. Shishkin

V. A. Shhchukin < V. A. Shishkin < V. A. Sidorov

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000156 (2009)		High-power single-mode laser diodes based on carbon-doped quantum-well InGaAs/AIGaAs heterostructures
000D61 (1999)		Powerful AlGaAs/InGaAs/GaAs-based diode lasers with a wavelength of 1.06 μm and a reduced divergence in the plane perpendicular to the p - n junction
001351 (1995)		SEM evidence for near-surface carrier passivation by hydrogen in CH4/H2 reactive ion etched p-InP

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Nombre de documents	Descripteur
2	Experimental study
2	Heterostructures
2	Laser diodes
2	Output power
2	Semiconductor lasers
2	Ternary compounds
1	Aluminium Arsenides
1	Aluminium arsenides
1	Binary compounds
1	Carbon
1	Carbon tetrachloride
1	Charge carriers
1	Doped materials
1	Doping profiles
1	Etching
1	Far field
1	Gallium Arsenides
1	Gallium arsenides
1	Hydrogen additions
1	III-V semiconductors
1	Indium Arsenides
1	Indium arsenides
1	Indium phosphides
1	Infrared laser
1	Inorganic compounds
1	Ion beams
1	MOVPE method
1	Optical losses
1	Passivation
1	Quantum wells
1	SEM
1	Single mode laser
1	VPE
1	Zinc additions
1	p n junctions

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Russie) Index « Auteurs » - entrée « V. A. Shishkin »
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