IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, S. Ya. Tipissev

S. Ya. Tipisev < S. Ya. Tipissev < S. Yakovlev

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Number of relevant bibliographic references: 5.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
001126 (1997)		Effect of growth kinetics on the InAs/GaAs quantum dot arrays formation on vicinal surfaces
001232 (1996)		STM and RHEED study of InAs/GaAs quantum dots obtained by submonolayer epitaxial techniques
001267 (1996)		An intemediate (1.0-1.5 monolayers) stage of heteroepitaxial growth of InAs on GaAs(100) during submonolayer molecular beam epitaxy
001301 (1995-07-03)		Ordering phenomena in InAs strained layer morphological transformation on GaAs (100) surface
001379 (1995)		Formation of InGaAs/GaAs quantum dots by submonolayer molecular beam epitaxy

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
5	Experimental study
5	Indium arsenides
5	Molecular beam epitaxy
3	Crystal growth
3	Morphology
3	Quantum dots
3	STM
2	Binary compounds
2	Gallium arsenides
2	Semiconductor materials
2	Surface structure
1	Anisotropy
1	Fabrication structure relation
1	Film growth
1	Intermediate state
1	Kinetics
1	Ordered systems
1	Overlayers
1	Quantum wires
1	Strains
1	Ternary compounds

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

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