IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, H. Lipsanen

H. Li < H. Lipsanen < H. Luetkens

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Number of relevant bibliographic references: 4.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000201 (2008)		MOVPE growth and characterization of InAlGaN films and InGaN/InAlGaN MQW structures
000224 (2007)		The effect of InGaN/GaN MQW hydrogen treatment and threading dislocation optimization on GaN LED efficiency
000264 (2007)		Control of the morphology of InGaN/GaN quantum wells grown by metalorganic chemical vapor deposition
000338 (2005)		Synchrotron X-ray topographic study of dislocations and stacking faults in InAs

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
3	III-V semiconductors
3	Multiple quantum well
3	Nanostructured materials
3	Quantum wells
3	XRD
2	Dislocation density
2	Gallium nitrides
2	Growth mechanism
2	Indium nitrides
2	Inorganic compounds
2	MOCVD
2	Surface morphology
2	VPE
1	Aluminium nitride
1	Atomic force microscopy
1	Barrier layer
1	Burgers vector
1	Crystal defects
1	Crystal growth from vapors
1	Current density
1	Depth profiles
1	Dislocation structure
1	Edge dislocations
1	Electroluminescence
1	Epitaxial layers
1	Films
1	Gallium nitride
1	High density
1	III-V compound
1	Inclusions
1	Indium arsenides
1	Indium nitride
1	Interfaces
1	Light emitting diodes
1	MOVPE method
1	Optimization
1	Optoelectronic devices
1	Photoluminescence
1	Precursor
1	Relaxation
1	Secondary ion mass spectrometry
1	Spectral line shift
1	Stacking faults
1	Surface states
1	Synchrotron radiation
1	Thin films
1	Threading dislocation
1	X radiation
1	X-ray topography

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Russie) Index « Auteurs » - entrée « H. Lipsanen »
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