IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, D. V. Denisov

D. V. Bryukvin < D. V. Denisov < D. V. Dmitriev

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Number of relevant bibliographic references: 5.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000509 (2003-11)		Molecular-Beam Epitaxy and Properties of Heterostructures with InAs Nanoclusters in an Si Matrix
000789 (2002)		Stoichiometry and absolute atomic concentration profiles obtained by combined Rutherford backscattering spectroscopy and secondary-ion mass spectroscopy: InAs nanocrystals in Si
000983 (2001)		Incorporation of InAs nanostructures in a silicon matrix : growth, structure and optical properties
000A59 (2000-07)		Study of Multilayer Structures with InAs Nanoobjects in a Silicon Matrix
001265 (1996)		Association of time instability of the InP-SiO2 interface characteristics with bulk properties of the insulator

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
5	Experimental study
3	III-V semiconductors
3	Molecular beam epitaxy
3	Nanostructured materials
3	Silicon
2	Arsenic compounds
2	Crystal growth from vapors
2	Indium arsenides
2	Indium compounds
2	RHEED
2	TEM
1	Absorption spectra
1	Atomic clusters
1	Binary compounds
1	Buried nanostructure
1	CV characteristic
1	Characterization
1	Chemical bonds
1	Composite materials
1	Depth profiles
1	Heterojunctions
1	Indium phosphides
1	Infrared spectra
1	Island structure
1	Multilayers
1	Nanocrystal
1	Nanostructures
1	Nonstoichiometry
1	Photoluminescence
1	Quantum dots
1	RBS
1	SIMS
1	STM
1	Scanning electron microscopy
1	Semiconductor heterojunctions
1	Semiconductor materials
1	Silicon oxides
1	Solid-solid interfaces

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Russie) Index « Auteurs » - entrée « D. V. Denisov »
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