IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, D. B. Nikitin

D. B. Chesnikova < D. B. Nikitin < D. Baxter

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Number of relevant bibliographic references: 6.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000688 (2003)		Comparison of carbon and zinc p-clad doped LP MOCVD grown InGaAs/AlGaAs low divergence high-power laser heterostructures
000721 (2002-09)		MOCVD-Grown InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with a Broad-Area Contact
000817 (2002)		Investigation of indium segregation in InGaAs/(Al)GaAs quantum wells grown by MOCVD
000820 (2002)		Influence of features of QW InGaAs/(Al)GaAs heterostructures grown by MOCVD on the emission spectrum of single-mode laser diodes
000828 (2002)		High-power semiconductor 0.89-1.06-μm lasers with a low emission divergence based on strained quantum-well InGaAs/(Al)GaAs structures
000982 (2001)		Influence of barrier layers on indium segregation in pseudomorphic InGaAs/(Al)GaAs quantum wells grown by MOCVD

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
6	Experimental study
6	Gallium arsenides
6	MOCVD
5	Aluminium arsenides
5	Indium arsenides
4	Semiconductor lasers
3	CVD
3	Crystal growth from vapors
3	III-V semiconductors
3	Thin films
2	AES
2	Binary compounds
2	Chemical composition
2	Depth profiles
2	Heterostructures
2	Laser diodes
2	Luminous intensity current characteristic
2	Multilayers
2	Quantum well lasers
2	Quantum wells
2	Strained quantum well
2	Surface segregation
2	Ternary compounds
1	Aluminium compounds
1	Beam profiles
1	Carbon additions
1	Carrier density
1	Characterization
1	Crystal doping
1	Divergences
1	Doping profiles
1	Emission spectra
1	Fabrication property relation
1	Heterojunctions
1	High-power lasers
1	IV characteristic
1	Indium compounds
1	Low pressure
1	Microelectronic fabrication
1	Operating mode
1	Optical losses
1	Output power
1	Precursor
1	Pseudomorphic growth
1	Semiconductor heterojunctions
1	Single mode laser
1	Temperature effects
1	Zinc additions
1	p n junctions

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

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