IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, B. Y. Ber

B. V. Zhuravlev < B. Y. Ber < B. Y. Mel Tser

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Number of relevant bibliographic references: 3.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000134 (2009)		Surface and bulk passivation of A3B5 layers by isovalent dopant diffusion from a localized source
000204 (2008)		Influence of the GaAs substrate orientation on the composition of GaxIn1-xP (x ≃ 0.5) grown by LPE and MOCVD
001569 (1993)		Feasibility of formation of In0.52Al0.48As films isoperiodic with the InP substrates by liquid phase epitaxy at low (∼650°C)

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
2	III-V semiconductors
2	LPE
2	Photoluminescence
1	Acceptor donor pair
1	Aluminium arsenides
1	Characterization
1	Charge carrier recombination
1	Crystal growth
1	Doping
1	Epitaxial layers
1	Evaporation
1	Experimental study
1	Gallium
1	Gallium Indium Arsenides Mixed
1	Gallium arsenides
1	Gallium phosphide
1	Growth mechanism
1	Heterostructures
1	Impurity diffusion
1	Indium additions
1	Indium arsenides
1	Indium phosphide
1	MOCVD
1	Non radiative recombination
1	Operating conditions
1	Passivation
1	Phase composition
1	Phase transformations
1	Phosphorus
1	Phosphorus additions
1	Secondary ion mass spectrometry
1	Segregation
1	Semiconductor materials
1	Solidification
1	Spectral line shift
1	Substrates
1	Supercooling
1	Temperature
1	Ternary compounds
1	Ternary systems
1	Thin films

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

	Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Russie) Index « Auteurs » - entrée « B. Y. Ber »
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