IndiumV3, Russie, Analysis, indexItem, Author.i, B. L. Agapov

B. Koziarska < B. L. Agapov < B. L. Gel Mont

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Number of relevant bibliographic references: 6.

Ident.	Authors (with country if any)	Title
000664 (2003)		Growth of in-doped PbTe films on Si substrates
000B51 (2000)		Preparation of In2Se3 layers on InAs by heterovalent substitution
001235 (1996)		Preparation of In2Te3/InAs heterojunctions by heterovalent substitution
001347 (1995)		Structure of indium sulfide layers on InAs
001752 (1991)		Properties of an interface between InAs and a thin semiinsulating In2S3 film
001A70 (1988)		Heterostructures on the basis of indium arsenide with semi-insulating A2IIIB3VI compound layers

List of associated KwdEn.i

Nombre de documents	Descripteur
6	Experimental study
4	Semiconductor materials
3	Binary compounds
3	Crystal growth from vapors
3	Heterojunctions
3	SEM
2	Chemical composition
2	Heterojunction
2	Hot wall growth
2	Indium Sulfides
2	Indium arsenides
2	Inorganic compound
2	Ion substitution
2	Thin films
2	Voltage capacity curve
1	AES
1	Buffer layer
1	Chemical reactions
1	Coatings
1	Controlled atmospheres
1	Crystal orientation
1	Crystal structure
1	Doping
1	Electron diffraction
1	Electron microprobe
1	Evaporation
1	Films
1	Gallium Indium Tellurides Mixed
1	IV-VI semiconductors
1	Indium Arsenides
1	Indium additions
1	Indium selenides
1	Indium sulfides
1	Indium tellurides
1	Lattice parameters
1	Lead tellurides
1	Polycrystals
1	Preferred orientation
1	RHEED
1	Solid solid interface
1	Temperature dependence
1	Texture
1	Thermal annealing
1	Thick film
1	Transport process
1	Voltage current curve
1	XRD

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Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024

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