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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (Russie)

Index « Auteurs » - entrée « Ashraful Ghani Bhuiyan »
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Aseel Hassan < Ashraful Ghani Bhuiyan < Audrey L. Stepanov  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 2.
Ident.Authors (with country if any)Title
000428 (2004-01-19) Publishers Note: Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eV grown using different techniques and evidence of the actual band gap energy [Appl. Phys. Lett. 83, 4788 (2003)]
000498 (2003-12-08) Single-crystalline InN films with an absorption edge between 0.7 and 2 eV grown using different techniques and evidence of the actual band gap energy

List of associated KwdEn.i

Nombre de
documents		Descripteur
2Absorption coefficients
2Energy gap
2Experimental study
2III-V semiconductors
2Indium compounds
2Semiconductor growth
2Wide band gap semiconductors
1Laser deposition
1MOCVD
1Molecular beam epitaxy
1Plasma deposition
1Semiconductor epitaxial layers
1Semiconductor thin films
1VPE

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