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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Wicri.i » - entrée « Isolant »
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 11.
Ident.Authors (with country if any)Title
000069 (2013) Contact vs bulk effects in N-semi-insulating-N and P-semi-insulating-P diodes
000C43 (2003-04-15) Implementation of an all-electron GW approximation based on the projector augmented wave method without plasmon pole approximation: Application to Si, SiC, AlAs, InAs, NaH, and KH
001438 (2000) Improved bias-thermal-stress method for the insulator charge measurement of BN/InP MIS structures
001A67 (1997-11) Élaboration par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma (PECVD) de films minces de nitrure de bore (BN) sur phosphure d'indium (InP)
001B09 (1997-07) CONTRIBUTION A L'AMELIORATION DE METHODES DE CARACTERISATIONS ELECTRIQUES DE STRUCTURES MIS (Au/BN/InP) ET MOS
001C80 (1997) Electrical conduction in POxNyInZ films deposited on InP
001F29 (1996) Highly sensitive In0.75Ga0.25As/AlInAs Hall sensors
002516 (1993) Dépôt de nitrure de bore par PECVD pour son utilisation comme isolant de grille dans les structures MISFET sur InP
002763 (1992-06) Mécanismes de conduction à basse température au voisinage de la transition métal-isolant dans le phosphure d'indium
002B01 (1990) The first fabrication of n- and p-type Ga0.49In0.51P/Ga(In)As lattice matched and strained HIGFET structures grown by MOCVD
002D56 (1988) Physical parameters of GaInAs/Si3N4 interface states obtained by the conductance method

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