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Index « Keywords » - entrée « X radiation »
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List of bibliographic references

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Ident.Authors (with country if any)Title
000491 (2008) The development of X-ray bolometers based on SOI technology for astronomy
000574 (2008) First evidence of stable P-N bonds after anodic treatment of InP in liquid ammonia : A new III-V material passivation route
000756 (2006) Synchrotron high angular resolution microdiffraction analysis of selective area grown optoelectronic waveguide arrays
000F08 (2002) Study of low temperature elaborated tailored optical band gap β-In2S3-3xO3x thin films
001173 (2001) Physico-chemical characterization of spray-deposited CuInS2thin films
001403 (2000) Polycrystalline CuInSe2 thin films synthesized by microwave irradiation
001404 (2000) Physico-chemical characterization of β-In2 S3 thin films synthesized by solid-state reaction, induced by annealing, of the constituents sequentially deposited in thin layers
001525 (1999-10) Réalisation de structures métal/isolant/semi-conducteur. Etude par spectroscopies électroniques et caractérisations électriques
001717 (1999) Indium surface segregation in strained GaInAs quantum wells grown on (1 1 1) GaAs substrates by MBE
001825 (1998-10) Etude de Détecteurs X au Silicium et réalisation d'une Instrumentation Synchrotron associée
001850 (1998-07) Etude de la croissance épitaxiale par jets moléculaires des lamellaires (GaSe, InSe) sur silicium et de ZnSe sur lamellaire
001908 (1998) XPS study of GaInP on GaAs interface
001986 (1998) Interface between a III-VI intercalation compound and a solid electrolyte : XPS and RHEED study
001B06 (1997-07) Contribution à l'étude d'interfaces de semi-conducteurs III-V par spectroscopies de photoélectrons : cas de l'interface GaAs-GaInP
001B80 (1997) X-ray and UV photoelectron spectroscopy of oxide desorption from InP under As4 and/or Sb4 overpressures : Exchange reaction As ========iff; Sb on InP surfaces
001B85 (1997) Ultra-high vacuum deposition of sodium on indium monoselenide : Intercalation or chemical reaction?
001C24 (1997) Photoelectron diffraction investigation of strained InGaAs grown on (001) GaAs
001C46 (1997) Ion beam modification of InSe surfaces
001D09 (1997) Band alignment at the interface of a SnO2/γ-In2Se3 heterojunction
001D10 (1997) As surface segregation during the growth of GaInP on GaAs
001F27 (1996) In situ XPS investigation of indium surface segregation for Ga1-xInxAs and Al1-xInxAs alloys grown by MBE on InP(001)

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "X radiation" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "X radiation" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

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{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    X radiation
}}

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