Keywords
Analysis
France
Racine
Analysis
France
Repository
Accueil
Racine
Racine

Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Tensile stress »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Tensile strength < Tensile stress < Tensile tests  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 13.
Ident.Authors (with country if any)Title
000943 (2005) Interfacial structure of MBE grown InN on GaN
000A76 (2004) Stress and surface energies versus surface nanostructuring: the InGaAs/InP(0 0 1) epitaxial system
000D72 (2003) Experimental evidence for critical 2D nuclei in the 2D/3D growth mode transition of compressive and tensile strained InGaAs on InP(001)
000F18 (2002) Structural characterization of InGaAs/InP heterostructures grown under compressive and tensile stress
001456 (2000) Electronic structure of interdiffused GaInAs(P)/GaInAsP quantum wells
001749 (1999) Elastic stress relaxation in GaInAsP quantum wires on InP
001A79 (1997-10) Etude et conception d'un modulateur électro-absorbant basé sur des puits quantiques de type II dans le système contraint In0.3Ga0.7As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As sur substrat InP
001C50 (1997) Influence of step edges elastic relaxation on the morphology of compressively and tensilely strained In1-xGaxAs layers epitaxially grown on InP
001D54 (1996-10) Contribution à l'optimisation de structures lasers à puits quantiques contraints sur InP, à base des systèmes GaInAsP/GaInAsP/InP et GaInAs/GaInAlAs/InP. Applications aux télécommunications optiques
001F68 (1996) CL and EBIC analysis of a p+-InGaAs/n-InGaAs/n-InP/n+-InP heterostructure
001F73 (1996) Application of spectrally resolved scanning photoluminescence to assess relaxation processes of InGaAs and InAlAs layers strained in compression and tension
002406 (1994) Full polarization intensitivity of a 20 Gb/s strained-MQW electroabsorption modulator
002867 (1992) Induced electrostatic confinement of the electron gas in tensile strained InGaAs/InGaAsP quantum well lasers

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Tensile stress" 

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Tensile stress" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Tensile stress
}}
Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024