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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Surface analysis »
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 19.
Ident.Authors (with country if any)Title
000370 (2009) X-Ray Diffraction as a Local Probe Tool
000497 (2008) Study of the hBN/InP interface by deep level transient and photoluminescence spectroscopies
000573 (2008) Growth and formation of hybrid structures on InP by alternated anodizations in aqueous media and liquid ammonia
000812 (2006) Influence of indium tin oxide treatment using UV-ozone and argon plasma on the photovoltaic parameters of devices based on organic discotic materials
000880 (2005) Surface reactivity of insb studied by cyclic voltammetry coupled to xps
000D60 (2003) Growth of anodic oxides on n-InP studied by electrochemistry and surface analysis. Correlation between oxidation methods and passivating properties
000E97 (2002) The study of InPO4/InP(100) by EELS and AES
001005 (2002) High resolution XPS studies of Se chemistry of a Cu(In, Ga)Se2 surface
001796 (1998-12) ELABORATION D'HETEROSTRUCTURES A BASE D'ANTIMONIURES. ETUDE ET OPTIMISATION DE LA FORMATION DES INTERFACES InAs/GaSb ET GaSb/InAs
001875 (1998-04) ETUDE DES MODES DE CROISSANCE ET DES MECANISMES DE RELAXATION DES COUCHES InxGa1-xAs (x < 0,53) CONTRAINTES EN TENSION SUR InP : APPLICATION DANS LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES POUR COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES
001B54 (1997-01) GRAVURE DU PHOSPHURE D'INDIUM InP EN PLASMA CH4/H2 POUR LES TECHNOLOGIES MICRO-ÉLECTRONIQUES
001C00 (1997) Surface morphology and Raman scattering in GaAs/InAs(111) heterostructures grown by MOVPE
001C59 (1997) InAsP/GaInP strained multilayers grown by MOVPE on (001), (113)B and (110) InP substrates: the role of the surface characteristics
001C99 (1997) Characterization of phosphorus oxinitride (PON) gate insulators for InP metal-insulator-semiconductor devices
001D47 (1996-10) Propriétés des couches minces de silicium poreux et d'alumine utilisées pour la microélectronique. Etude par spectroscopies électroniques, ellipsométrie laser et caractérisations électriques C(V)
002097 (1995) Gravure hélicon de l'InP en plasma HBr. Morphologie et caractérisation des défauts de surface
002114 (1995) Surface chemistry of InAlAs after (NH4)2Sx sulphidation
002125 (1995) Schottky diode properties of Au, In-GaP (111) and (110) chemically etched surfaces
002731 (1993) Bulk and surface properties of RTCVD Si3N4 films for optical device applications

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