Stress-strain relations < Stresses < Striated muscle

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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 38.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000C95 (2003)		Stress-induced structural changes in thin InAs layers grown on GaAs substrate
001009 (2002)		Grazing-incidence diffraction anomalous fine structure of InAs/InP(001) self-assembled quantum wires
001308 (2000-11)		Interaction électrons-phonons dans les puits et boîtes quantiques de semiconducteurs. Une étude par spectrométries optiques
001349 (2000-02)		L'APPROCHE PARAMORPHIQUE : UN NOUVEAU PROCEDE POUR L'HETEROEPITAXIE DE MATERIAUX IDEALEMENT RELAXES. APPLICATION A LA CROISSANCE DE InGaAs ON InP SUBSTRATE
001374 (2000)		TEM study of the morphological and compositional instabilities of InGaAsP epitaxial structures
001594 (1999-02)		MODES DE CROISSANCE DE NANO-STRUCTURES DE SEMI-CONDUCTEURS III-V OBTENUS PAR EPITAXIE : ETUDES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION
001777 (1999)		A gas-source MBE growth study of strained Ga1-xInxP layers on GaAs
001A33 (1998)		Atomic-scale mapping of local lattice distortions in highly strained coherent islands of InxGa1-xAs/GaAs by high-resolution electron microscopy and image processing
001A91 (1997-09)		Etude par microscopie tunnel de la transition 2D-3D lors de la croissance épitaxique de couches contraintes In1-xGaxAs sur InP (001)
001C50 (1997)		Influence of step edges elastic relaxation on the morphology of compressively and tensilely strained In1-xGaxAs layers epitaxially grown on InP
001C70 (1997)		Growth of InAs/GaSb strained layer superlattices by MOVPE. III. Use of UV absorption to monitor alkyl stability in the reactor
001C91 (1997)		DAFS study of strained III-V epitaxial semiconductors
001D19 (1997)		2D-3D transition in highly strained GaAs/Ga1-xInxAs heterostructures by transmission electron microscopy
001E36 (1996-01)		Etude physique et réalisation d'hétérostructures GaInAs/GaAs/GaAlAs sur substrats GaAs (⊥⊥⊥) pour les applications optoélectroniques
001E85 (1996)		Reconstruction and chemical ordering at the surface of strained (In, Ga)As epilayers
001F59 (1996)		Dislocation introduction in the initial stages of MBE growth of highly strained In0.30Ga0.70As/GaAs structures
001F89 (1995-12)		Propriétés électroniques et optiques de superréseaux semiconducteurs contraints suivant (001) et (111)
002012 (1995-10)		Propriétés optiques de puits quantiques InGaAs/GaAs élaborés sous jets moléculaires
002039 (1995-07)		Réalisation d'un super-réseau à contraintes balancées InP/GaAs/GaP/GaAs par Epitaxie par jets moléculaires d'organo-métalliques
002056 (1995-04-15)		Tuning and breakdown of faceting under externally applied stress
002060 (1995-04)		Etude par microscopie électronique en transmission de la relaxation des contraintes dans les hétérostructures GaInAs/GaAs fortement désadaptées

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