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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Silicon Nitrides »
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 15.
Ident.Authors (with country if any)Title
001868 (1998-05) Dépôts de films minces SiNx assistés par plasma de haute densité. Etudes corrélées de la phase gazeuse, de l'interface SiNx/InP et de la passivation du transistor bipolaire à hétérojonction InP
001B24 (1997-06) Passivation des semi-conducteurs III-V à base d'InP avec un procédé intégré incluant un plasma DECR d'ammoniac et un dépôt photochimique de nitrure de silicium
001B40 (1997-04) La passivation des composés épitaxiés sur InP par dépôt photolytique direct de nitrure de silicium : Application à la photodiode à avalanche à multipuits quantiques
001B86 (1997) UV-deposited silicon nitride coupled with XeF2 surface cleaning for III-V optoelectronic device passivation
001E16 (1996-04) Réalisation de guides d'ondes optiques par dépôts photochimiques de multicouches diélectriques sur InP
002385 (1994) Low temperature silicon nitride deposition by direct photolysis using high power krypton flash lamps
002454 (1994) (NH4)2Sx passivation treatment and UVCVD stabilisation for GaInP/GaAs heterojunction bipolar transistors
002526 (1993) UVCVD dielectric films for InP-based optoelectronic devices
002786 (1992) Dépôts de nitrure de silicium et de silice par méthode photochimique. Passivation de la surface d'InP par (NH4)2Sx. Application au MISFET-InP
002824 (1992) Passivation induced deep levels in GaInAs PIN planar photodiodes
002937 (1991-12) Optimisation de structures mis sur InP: Passivation de la surface d'InP par des solutions de sulfure d'ammonium et dépôt d'isolants par méthode photochimique
002A98 (1990) Thermal donor formation in Fe-doped semi-insulating InP
002D17 (1988) Croissance de Si3N4 sur GaAs et InP par pulvérisation réactive par faisceau d'ions
002D56 (1988) Physical parameters of GaInAs/Si3N4 interface states obtained by the conductance method
002E84 (1987) Spatially resolved ellipsometry for semiconductor process control: applicatin to GaInAs MIS structures

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