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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Ohmic contacts »
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Ohmic contact < Ohmic contacts < Olefin  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 19.
Ident.Authors (with country if any)Title
000477 (2009) A comparative study of Schottky barrier height enhancement by realized pseudo-Schottky diodes on p-InP
000B23 (2004) Low threshold high-power room-temperature continuous-wave operation diode laser emitting at 2.26 μm
000B78 (2004) Boundary conditions for realistic simulation of ultra short pseudomorphic high electron mobility transistor on indium phosphide substrates
001443 (2000) High detectivity ZnSe-based Schottky barrier photodetectors for blue and near-ultraviolet spectral range
001694 (1999) NO2 sensor based on InP epitaxial thin layers
001695 (1999) NO2 detection by a resistive device based on n-InP epitaxial layers
001761 (1999) Cobalt contacts on indium arsenide
001786 (1999) 0.1μm Ga0.51In0.49P/In0.2Ga0.8As PHEMT grown by GSMBE with high DC and RF performances
001788 (1999) 0.1 μm (Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P/In0.2Ga0.8As/GaAs PHEMT grown by gas source molecular beam epitaxy
001A81 (1997-10) Contribution à l'étude du transport électronique dans les systèmes multi-couches à base de semi-conducteurs III-V
001A85 (1997-09-29) Interferometric roughness measurement of Ohmic contact/III-V semiconductor interfaces
001B13 (1997-07) Base metallization stability in InP/InGaAs heterojunction bipolar transistors and its influence on leakage currents
001C22 (1997) Planar InGaP/GaAs HBTs for high speed optoelectronic circuit applications
001C38 (1997) Metal-n-InP Rectifying properties enhancement with Zn based metallizations and diffusion at moderate annealing temperatures
001E73 (1996) Stability and noise of Pd-Ge-Ag-Au ohmic contacts to InGaAs-InAlAs high electron mobility transistors
001F09 (1996) Low frequency noise sources in InAlAs/InGaAs MODFET's
002029 (1995-09) Couches minces d'oxyde d'indium dopé à l'oxyde d'étain fabriquées par évaporation laser. Caractérisations et applications
002253 (1994-10) Contribution à l'étude des propriétés électriques d'hétérojonctions à base d'InP épitaxié par HVPE. Réalisation de contacts chimiques et Schottky
002546 (1993) Structural and electrical characterizations of Ag-InP(100) interfaces stabilized by antimony

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