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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Monte Carlo method »
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 16.
Ident.Authors (with country if any)Title
000720 (2007) Ballistic nano-devices for high frequency applications
001751 (1999) Effect of the T-gate on the performance of recessed HEMTs. A Monte Carlo analysis
001793 (1998-12) «SIMULATION MONTE-CARLO EN REGIMES STATIQUE ET DYNAMIQUE DE HEMT DE LA FILIERE InP»
001889 (1998-02) ETUDE THEORIQUE ET OPTIMISATION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE LA FILIERE InP ET DE LA FILIERE GaN
001D94 (1996-06) Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs «trois-cinq». Application aux matériaux GaAs et InP
001E33 (1996-01-15) Monte Carlo simulation of In surface segregation during the growth of InxGa1-xAs on GaAs(001)
002232 (1994-11-01) Linear and nonlinear analysis of microwave power generation in submicrometer n+nn+ InP diodes
002278 (1994-06) Transistors à effet de champ à hétérojonction à grille submicrométrique: modélisation des performances limites et comparaison avec les mesures
002287 (1994-05-16) Improved GaInAs/GaAs heterostructures by high growth rate molecular beam epitaxy
002314 (1994-02) Phénomènes de surface en croissance épitaxiale fortement contrainte de InxGa1-xAs (x>0,25) sur GaAs(001): relaxation élastique, transition 2D-3D, effet surfactant
002615 (1993) Monte Carlo simulation of pseudomorphic InGaAs/GaAs high electron mobility transistors : physical limitations at ultrashort gate length
002845 (1992) Microwave analysis of AlGaAs/InGaAs HEMT using Monte Carlo simulation
002922 (1992) Contribution of EPES in the study of materials
002951 (1991) Etude théorique du transport électronique et du contrôle de charge dans Al0,48In0,52As/Ga0,47In0,53As/InP. Applications à la réalisation de HEMT
002B70 (1990) Electron transport properties of strained InxGa1-xAs
003089 (1984) Calcul par la méthode de Monte Carlo des profils de dépôts d'énergie de faisceaux d'électrons pulsés dans InP

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