Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Modulation »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Modulated structure < Modulation < Modulation depth  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 16.
Ident.Authors (with country if any)Title
000772 (2006) Spontaneous lateral modulation in short-period superlattices investigated by grazing-incidence x-ray diffraction
000F46 (2002) Photoconductivity techniques for defect spectroscopy of photovoltaic materials
001524 (1999-10) Études optiques de GaN et d'InGaN
001D60 (1996-09) Etude et développement de diodes lasers sur InP pour la génération de signaux millimétriques
002031 (1995-08-28) Lateral band gap modulation by controlled elastic relaxation of strained multiquantum well structures on InP
002072 (1995-02-15) High electron mobility in pseudomorphic modulation-doped In0.75Ga0.25As/InAlAs heterostructures achieved with growth interruptions
002265 (1994-08-01) Electrical transport quantum effects in the In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As heterostructure on silicon
002270 (1994-07) Contribution à l'étude optique de l'effet Wannier-Stark dans les superréseaux semiconducteurs
002334 (1994) Mise en évidence des mécanismes d'injection de porteurs majoritaires à l'interface semiconducteur/électrolyte
002668 (1993) Gas source molecular beam epitaxy of alternated tensile/compressive strained GaInAsP multiple quantum wells emitting at 1.5 μm
002820 (1992) Photoreflectance and piezophotoreflectance studies of strained-layer InxGa1-xAs-GaAs quantum wells
002988 (1991) Photoluminescence intensity study of n-InP MIS structures realized with a native oxide insulator film
002B38 (1990) Low threshold current and high relaxation oscillation frequency of short-cavity integrable InP/InGaAsP BRS laser
002B78 (1990) Dynamic behaviors of semiconductor lasers under strong sinusoidal current modulation : modeling and experiments at 1.3 μm
002D20 (1988) Caractérisation physico-chimique et électrique de structures fluorure - semi-conducteur III-V (passivation de GaAs et InP)
002D92 (1988) High quality ultrathin InAs/GaAs quantum wells grown by standard and low-temperature modulated-fluxes molecular beam epitaxy

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Modulation" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Modulation" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Modulation
}}

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024