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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 31.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000791 (2006)		On the simulation of low-frequency noise upconversion in InGaP/GaAs HBTs
001348 (2000-02)		Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence
001438 (2000)		Improved bias-thermal-stress method for the insulator charge measurement of BN/InP MIS structures
001609 (1999-01)		MISE EN ŒUVRE D'UNE NOUVELLE MÉTHODE DE CARACTÉRISATION EN BRUIT DE COMPOSANTS ACTIFS : ÉTUDE DU BRUIT HF DE DISPOSITIFS À HÉTÉROJONCTION POUR LES APPLICATIONS MILLIMÉTRIQUES
001615 (1999-01)		ETUDES ET REALISATION TECHNOLOGIQUE DE LIGNES MICRORUBAN EN SILICIUM POLYCRISTALLIN ET EN OXYDE D'INDIUM DOPE A L'ETAIN ET D'ANTENNES PLANAIRES TRANSPARENTES
001726 (1999)		High-power V-band Ga0.51In0.49P/In0.2Ga0.8As pseudomorphic HEMT grown by gas source molecular beam epitaxy
001798 (1998-12)		Conception, réalisation et caractérisation de transistors à effet de champ à hétérojonction sur substrat d'InP pour circuits intégrés coplanaires en bandes V et W
001812 (1998-11)		Epitaxie par jets moléculaires à sources gazeuses des matériaux (AlGa)InP sur substrat GaAs pour applications hyperfréquences
001814 (1998-11)		Conception et réalisation de transistors à effet de champ de la filière AlInAs/GaInAs sur substrat InP. Application à l'amplification faible bruit en ondes millimétriques
001862 (1998-06)		Nouvelles applications hyperfréquences et optoélectroniques des transistors à transfert électronique FECTED
001877 (1998-04)		CONCEPTION ET REALISATION DE PHOTORECEPTEURS MILLIMETRIQUES POUR LES TRANSMISSIONS A HAUT DEBIT (40 Gbit/s) ET LA DISTRIBUTION OPTIQUE RADIO (38 et 60 GHz)
001894 (1998-01)		Etude des transistors à effet de champ de type HEMT sur substrat GaAs et InP pour l'amplification de puissance en gamme millimétrique
001A43 (1998)		5-mw and 5% efficiency 216-GHz InP-based heterostructure barrier varactor tripler
001A54 (1997-12)		Modélisation non linéaire des Transistors Bipolaires à Hétérojonction pour la conception des circuits micro-ondes. Méthodes de caractérisation associées au modèle
001B08 (1997-07)		Caractérisation et modélisation électrique du bruit hyperfréquence dans les structures bipolaires à hétérojonctions GaInP/GaAs et BiCMOS Silicium
001B60 (1997)		Propriétés en bruit basse fréquence des DHBT's GaInP/GaAs/GaInP
001B62 (1997)		Phototransistor TBH InGaAs/InP pour conversion optique/microondes
001B63 (1997)		Modélisation globale des TBH GaInP/GaAs pour applications de puissance en bande X
001B64 (1997)		Modélisation du RIN des diodes laser InGaAsP : Circuit équivalent microonde
001B67 (1997)		HEMT à canal composite GaInAs/InP pour circuits de modulation optique
001B68 (1997)		HEMT sur substrat InP de longueur de grille Lg=0,15 μm : comparaison entre un canal GaInAs et un canal composite GaInAs/InP

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