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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Metal semiconductor field effect transistor »
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Metal powder < Metal semiconductor field effect transistor < Metal theory  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 15.
Ident.Authors (with country if any)Title
000005 (2014) Backgating effect in III-V MESFET's: A physical model
000186 (2011) Performance enhancement of GaN SB-MOSFET on Si substrate using two-step growth method
001348 (2000-02) Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence
001441 (2000) High-power GaN MESFET on sapphire substrate
001852 (1998-07) Caractérisation électrique du quaternaire (Ga0.47 In0.53As)1-x (Al0.48In0.52As)x (x=30%) et Application au transistor HFET pour la photodétection à 1,3-1.55μm.
002250 (1994-10) Etude de l'intégration optoélectronique et photonique sur InP: laser-MESFET et laser-Convertisseur FM->AM
002455 (1993-12) Transistors à effet de champ GaAs Mesfet réalisés en désaccord de maille sur InP pour l'intégration micro-optoélectronique à 1,3-1,5 micron
002584 (1993) Photoluminescence characterization of structures obtained by multipolar plasma oxidation of InP
002609 (1993) Noise in AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT's from 10 Hz to 18 GHz
002786 (1992) Dépôts de nitrure de silicium et de silice par méthode photochimique. Passivation de la surface d'InP par (NH4)2Sx. Application au MISFET-InP
002787 (1992) Dépôt de SiO2 par plasma microonde à Résonance Cyclotronique Electronique Répartie (RCER). Application à l'étude de structures SiO2/InP
002A47 (1991) Electrical and structural characterization of GaAs on InP grown by OMCVD ; application to GaAs MESFETs
002A78 (1990) Silice UVCVD pour transistors MISFET autoalignés sur InP
002A92 (1990) Ultra high transconductance 0•25 μm gate MESFET with strained InGaAs buffer layer
002D47 (1988) Schottky and field-effect transistor fabrication on InP and GalnAs

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