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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 16.
Ident.Authors (with country if any)Title
000691 (2007) Electrical and optical characterisation of CuInS2 crystals and polycrystalline coevaporated thin films
000F77 (2002) Mechanism of irradiation induced degradation of solar cells
001A54 (1997-12) Modélisation non linéaire des Transistors Bipolaires à Hétérojonction pour la conception des circuits micro-ondes. Méthodes de caractérisation associées au modèle
001B08 (1997-07) Caractérisation et modélisation électrique du bruit hyperfréquence dans les structures bipolaires à hétérojonctions GaInP/GaAs et BiCMOS Silicium
001D80 (1996-07) Etude du bruit de fond dans les transistors bipolaires hyperfréquences à hétérojonction GaInP/GaAs
002649 (1993) InP digital optical swithc: key element for guided-wave photonic switching
002727 (1993) Characterization of GaAs and InGaAs double-quantum well heterostructure FET's
002819 (1992) Picosecond large-signal switching characteristics of a pseudomorphic AIGaAs/InGaAs modulated doped field effect transistor
002836 (1992) Noise characterization of an InGaAs interdigitated metal-semiconductor-metal photodetector
002838 (1992) New linewidth enhancement determination method in semiconductor lasers based on spectrum analysis above and below threshold
002864 (1992) Influence of thermal treatment under various oxygen pressures on the electronic properties of ceramics and single crystals of pure and tin-doped indium oxide
002877 (1992) In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs pseudomorphic resonant tunneling diodes integrated with airbridge
002A24 (1991) High optical and electrical quality GaInAs/InP, GaAs/InP double heterostructures for optoelectronic integration
002B48 (1990) In situ investigation of the low-pressure metalorganic chemical vapor deposition of lattice-mismatched semiconductors using reflectance anisotropy measuremets
002B49 (1990) In situ investigation of InAs metalorganic chemical vapor deposition growth using reflectance anisotropy
002B93 (1990) Angle resolved X-ray photoemission study of rapid thermal annealing applied to different GaAs and InP samples

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