Keywords
Analysis
France
Racine
Analysis
France
Repository
Accueil
Racine
Racine

Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Layered crystals »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Layer thickness < Layered crystals < Layered double hydroxide  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 18.
Ident.Authors (with country if any)Title
000178 (2011) Simulation approach for studying the performances of original superstrate CIGS thin films solar cells
000614 (2007) Transport measurements under pressure in III-IV layered semiconductors
000645 (2007) Optical characterizations of complete TFT-LCD display devices by phase modulated spectroscopic ellipsometry
000A15 (2005) Application of X-ray standing wave (XSW) technique for studies of Zn incorporation in InP epilayers
000A82 (2004) Sequence of structural phase transitions of CsInF4 crystal
001174 (2001) Physical properties of layer-type MPS3 compounds: M0.5In0.33PS3 (M=Cd, Fe, Mn)
001180 (2001) Phase transitions in CuInP2(SexS1-x)6 layered crystals
001307 (2000-11) Structure électronique des composés lamellaires GaSe, InSe et de leurs interfaces avec Si(111) dans une approche de liaisons fortes
001628 (1999) Zn3In2O6 : crystallographic and electronic structure
001780 (1999) 31P MAS NMR study of the ferrielectric-paraelectric transition in layered CuInP2S6
001B10 (1997-07) CONTRIBUTION A L ETUDE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS FORMEES PAR DES COMPOSES LAMELLAIRES (InSe OU GaSe) EPITAXIES SUR DU Si(111)
001E59 (1996) X-ray multiple diffraction in Renninger scanning mode : Simulation of data recorded using synchrotron radiation
001F93 (1995-12) Hétérostructures de GaSe et InSe lamellaires sur GaAs(001) et sur Si(111): Préparation et propriétés d'interface
002043 (1995-07) Architectures à clusters dans les composés intermétalliques des éléments des groupes 11, 12 et 13. Elaboration, étude cristallographique et structure électronique
002230 (1994-12) Contribution à l'étude des interfaces entre un conducteur ionique et un semi-conducteur lamellaire
002244 (1994-10) Vers une nouvelle famille de matériaux antiferroélectriques et ferroélectriques: les thiophosphates lamellaires CuMP2S6 (M=Cr, In)
002369 (1994) Paraelectric-ferroelectric transition in the lamellar thiophosphate CuInP2S6
002801 (1992) Temperature dependence of the lattice dynamics of the layered semiconductor In2Se3

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Layered crystals" 

HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Layered crystals" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Layered crystals
}}
Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024