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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « LEED »
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LCAO method < LEED < LEED diffraction  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 18.
Ident.Authors (with country if any)Title
000089 (2012) The atomic structure of the threefold surface of the icosahedral Ag-In-Yb quasicrystal
000362 (2010) AES, LEED and PYS investigation of Au deposits on InSe/Si( 1 1 1) substrate
000469 (2009) Clean reconstructed InAs(111) A and B surfaces using chemical treatments and annealing
000711 (2007) Combined EELS, LEED and SR-XPS study of ultra-thin crystalline layers of indium nitride on InP(1 0 0)- : Effect of annealing at 450 °C
000853 (2006) Chemically prepared well-ordered InP(001) surfaces
000A56 (2004) Well-ordered (1 0 0) InAs surfaces using wet chemical treatments
000B25 (2004) Long range one-dimensional ordering of lead phthalocyanine monolayer on InSb( 1 0 0) (4 × 2)/c(8 × 2)
000C33 (2003-06-16) Preparation of clean reconstructed InAs(001) surfaces using HCl/isopropanol wet treatments
000C45 (2003-04-14) Self-assembled molecular chains formed by selective adsorption of lead-phthalocyanine on InSb(100)-(4×2)/c(8×2)
000D24 (2003) New electronic surface states on In-terminated InAs(0 0 1)4 × 2-c(8 × 2) clean surface
001008 (2002) Growth morphology of (1 x 2) α-sn(100): a surface diffraction study
001253 (2001) Electron accumulation layer on clean In-terminated InAs(001)(4 x 2)-c(8 x 2) surface
001753 (1999) Effect of Cu on InSe/Si(111) heterojunctions
001874 (1998-04) Etude des propriétés électroniques et structurales des interfaces GaSe/Si(111) et InSe/Si(111) par la photoémission angulaire dans l'ultraviolet
001B10 (1997-07) CONTRIBUTION A L ETUDE DES PROPRIETES DES HETEROJONCTIONS FORMEES PAR DES COMPOSES LAMELLAIRES (InSe OU GaSe) EPITAXIES SUR DU Si(111)
001C23 (1997) Photovoltaic properties of indium selenide thin films prepared by van der Waals epitaxy
001F18 (1996) Interface properties of MBE grown InSe/Si(111) heterojunctions
002256 (1994-09) Etude par photoémission des surfaces (111) et (110) imparfaites de silicium

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