Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Isolated gate field effect transistor »
Attention, ce site est en cours de développement !
Attention, site généré par des moyens informatiques à partir de corpus bruts.
Les informations ne sont donc pas validées.
Isobutane < Isolated gate field effect transistor < Isolation technology  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 4.
Ident.Authors (with country if any)Title
001852 (1998-07) Caractérisation électrique du quaternaire (Ga0.47 In0.53As)1-x (Al0.48In0.52As)x (x=30%) et Application au transistor HFET pour la photodétection à 1,3-1.55μm.
001D51 (1996-10) Etude et réalisation de transistors HIGFETs complémentaires en technologie auto-alignée pour circuits logiques rapides à faible consommation
002464 (1993-11) Simulation hydrodynamique bidimensionnelle des structures MISFET InP. Analyse physique et étude expérimentale pour l'amplification de puissance en hyperfréquence
003057 (1985) Etats électroniques à l'interface isolants GaInAsP

Pour manipuler ce document sous Unix (Dilib)

EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Isolated gate field effect transistor" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Isolated gate field effect transistor" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

Pour mettre un lien sur cette page dans le réseau Wicri

{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Isolated gate field effect transistor
}}

Wicri

This area was generated with Dilib version V0.5.77.
Data generation: Mon Jun 9 10:27:54 2014. Site generation: Thu Mar 7 16:19:59 2024