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Index « Keywords » - entrée « Interdiffusion »
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List of bibliographic references

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Ident.Authors (with country if any)Title
000093 (2012) Submicron Raman and photoluminescence topography of InAs/Al(Ga)As quantum dots structures
000288 (2010) Optoelectronic evaluation of the nanostructuring approach to chalcopyrite-based intermediate band materials
000590 (2008) De-relaxation of plastically relaxed InAs/GaAs quantum dots during the growth of a GaAs encapsulation layer
000811 (2006) Interdiffusion process in the InSe/Pt interface studied by angle- resolved photoemission
000938 (2005) Low temperature epoxy-free and flux-less bonding process applied to solid-state microchip laser
000D88 (2003) Comparison of GaInNAs/GaAs and GaInNAs/GaNAs/GaAs quantum wells emitting over 1.3 μm wavelength
000E06 (2003) An X-ray diffraction and Mössbauer study of interdiffusion phenomena at the interface between Fe and In0.5Ga0.5As (001)
000F09 (2002) Study of indium tin oxide -4,4'-bis(4-dimethylaminostyryl) benzene interface: an X ray photoelectron spectroscopy investigation
000F40 (2002) Post-growth thermal treatment of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
001378 (2000) Structure of Fe layers grown on InAs(100)
001456 (2000) Electronic structure of interdiffused GaInAs(P)/GaInAsP quantum wells
001761 (1999) Cobalt contacts on indium arsenide
001796 (1998-12) ELABORATION D'HETEROSTRUCTURES A BASE D'ANTIMONIURES. ETUDE ET OPTIMISATION DE LA FORMATION DES INTERFACES InAs/GaSb ET GaSb/InAs
001815 (1998-11) Application de l'imagerie de photoluminescence à l'étude de la distribution spatiale de propriétés physico-chimiques de semiconducteurs pour la réalisation de dispositifs
001897 (1998-01) Compréhension et prédiction du comportement sous irradiation neutronique d'alliages absorbants à base d'argent
001A38 (1998) A study of GaInP/GaAs interfaces : metallurgical coupling of successive quantum wells
001B06 (1997-07) Contribution à l'étude d'interfaces de semi-conducteurs III-V par spectroscopies de photoélectrons : cas de l'interface GaAs-GaInP
001E07 (1996-05) Dopage des matériaux semiconducteurs II-VI à base de tellure et réalisation de structures quantiques
002016 (1995-10) Effets d'interdiffusion sur les hétérostructures III-V
002210 (1995) An optical study of interdiffusion in strained InP-based heterostructures
002247 (1994-10) Interdiffusion des puits quantiques et des superréseaux à base du quaternaire InGaAsP pour l'intégration monolithique des composants opto-électroniques

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