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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 36.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000315 (2010)		HELIOS: pHotonics ELectronics functional Integration on CMOS
000401 (2009)		Silicon Photonics Developments in Europe
001039 (2002)		Cascaded photonic crystal guides and cavities: Spectral studies and their impact on integrated optics design : Feature section on photonic crystal structures and applications
001358 (2000-01)		InP-based photonic micro-sensor for near field optical investigations
001372 (2000)		Three-waveguide two-grating codirectional coupler for 1.3-/1.3+/1.5μm demultiplexing in transceiver
001775 (1999)		Agile and fast switching monolithically integrated four wavelength selectable source at 1.55 μm
001795 (1998-12)		ETUDE DES EFFETS PARASITES DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION (HFET) SUR SUBSTRAT InP
001810 (1998-11)		OPTIMISATION D'UN DUPLEXEUR EN LIGNE FONCTIONNANT A 1,3μm ET A 1,55μm
001811 (1998-11)		Etude des effets parasites du transistor à haute mobilité électronique (HEMT) sur InP pour applications micro-optoélectroniques
001815 (1998-11)		Application de l'imagerie de photoluminescence à l'étude de la distribution spatiale de propriétés physico-chimiques de semiconducteurs pour la réalisation de dispositifs
001852 (1998-07)		Caractérisation électrique du quaternaire (Ga0.47 In0.53As)1-x (Al0.48In0.52As)x (x=30%) et Application au transistor HFET pour la photodétection à 1,3-1.55μm.
001867 (1998-05)		Etude de la dynamique, de l'émission laser, de l'amplification et de la commutation dans des structures laser à cavité verticale à 1.55μm
001A75 (1997-10)		Technologie de photorécepteurs intégrés sur InP
001A79 (1997-10)		Etude et conception d'un modulateur électro-absorbant basé sur des puits quantiques de type II dans le système contraint In0.3Ga0.7As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As sur substrat InP
001A84 (1997-09-29)		Low-loss hydrogenated buried waveguide coupler integrated with a four-wavelength distributive Bragg reflector laser array on InP
001A93 (1997-09)		EPITAXIE SELECTIVE EN PHASE VAPEUR AUX ORGANOMETALLIQUES POUR INTEGRATION MONOLITHIQUE DE COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES
001C22 (1997)		Planar InGaP/GaAs HBTs for high speed optoelectronic circuit applications
001C44 (1997)		Lossless InAsP-InGaP modulator at 1.3 μm for optical conversion of radio signals up to 40 GHz
001D20 (1997)		20-Gb/s integrated DBR laser-EA modulator by selective area growth for 1.55-μm WDM applications
001D36 (1996-11)		SIMULATION NUMERIQUE DE LA DIFFUSION DE DOPANTS DANS LES MATERIAUX III-V POUR LES COMPOSANTS MICROOPTOELECTRONIQUES
001E26 (1996-03)		Mesure des indices de réfraction de semiconducteurs III - V en structure guide d'onde

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