Infrared irradiation < Infrared laser < Infrared radiation

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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 24.
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Ident.	Authors (with country if any)	Title
000042 (2013)		Modeling of Ga1-xInxAs1-y-zNySbz/GaAs quantum well properties for near-infrared lasers
000128 (2012)		Femtosecond envelope of the high-harmonic emission from ablation plasmas
000561 (2008)		InAsN/GaSb/InAsN 'W' quantum well laser for mid-infrared emission : from electronic structure to threshold current density calculations
000737 (2006)		Étude en température d'un laser à un seul plan de boîtes quantiques d'InAs sur substrat InP émettant à 1,55μm
000740 (2006)		Réalisation d'un laser à faible courant de seuil, avec des boites quantiques InAs/InP organisées et couplées latéralement
000741 (2006)		Lasers à boîtes quantiques sur InP à 1,55μm présentant en fonctionnement continu une puissance élevée, un très faible bruit et une longue durée de vie
000F61 (2002)		Nitride-based long-wavelength lasers on GaAs substrates
000F78 (2002)		Measurement of gain spectra, refractive index shift and linewidth enhancement factor in Al-free 980 nm lasers with broadened waveguide
001010 (2002)		Gradual degradation in 980 nm InGaAs/AlGaAs pump lasers
001017 (2002)		Fabrication and characterisation of laterally coupled lasers
001074 (2001-10)		Matériaux innovants pour lasers à 1,3μm sur substrat de GaAs
001089 (2001-07)		Croissance et caractérisations des boites quantiques InAs/InP(113)B pour la réalisation d'un laser émettant à 1.55 μm
001209 (2001)		MBE growth of InAs/InAsSb/InAlAsSb "W" quantum well laser diodes emitting near 3 μm
001221 (2001)		Influence of the thermal treatment on the optical and structural properties of 1.3 μm emitting LP-MOVPE grown InAs/GaAs quantum dots
001268 (2001)		Detection and localization of degradation damaged regions in 1.3 μm laser diodes on InP using low-coherence reflectometry
001291 (2001)		(InGa)(NAs)/GaAs structures emitting in 1-1.6 μm wavelength range
001318 (2000-09)		Étude de diodes lasers à base de GaAsSb/GaInAs/GaAs sur substrat de GaAs pour une émission à 1,3 μm
001442 (2000)		High efficiency GaInSbAs/GaSb type-II quantum well continuous wave lasers
001671 (1999)		Room temperature continuous wave operation under optical pumping of a 1.48 μm vertical cavity laser based on AlGaAsSb mirror
001826 (1998-10)		DECLENCHEMENT DES MICROLASERS SOLIDES EMETTANT A 1,55 μM PAR UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
001D54 (1996-10)		Contribution à l'optimisation de structures lasers à puits quantiques contraints sur InP, à base des systèmes GaInAsP/GaInAsP/InP et GaInAs/GaInAlAs/InP. Applications aux télécommunications optiques

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