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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Impact ionization »
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List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 23.
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Ident.Authors (with country if any)Title
000036 (2013) Noise Measurements of Discrete HEMT Transistors and Application to Wideband Very Low-Noise Amplifiers
000043 (2013) Modeling of Dark Current in HgCdTe Infrared Detectors
000906 (2005) Performances and limitations analyses of PHEMT and MHEMT for applications in high bit rate fiber-optic systems
000E26 (2002-11-01) Monte Carlo simulation of electron transport in narrow gap heterostructures
001251 (2001) Enhancement-mode Al0.66In0.34As/Ga0.67In0.33As metamorphic HEMT: Modeling and measurements
001287 (2001) A 0.15-μm 60-Ghz high-power composite channel GaInAs/InP HEMT with low gate current
001300 (2000-12) Etude du Phénomène d'Ionisation par Choc dans les Semi-Conducteurs III-V : Application aux Transistors à Effet de Champ
001343 (2000-03-01) Electroluminescence of composite channel InAlAs/InGaAs/InP/InAlAs high electron mobility transistor
001453 (2000) Enhancement mode metamorphic Al0.67In0.33As/Ga0.66In0.34As HEMT on GaAs substrate with high breakdown voltage
001573 (1999-05-15) Impact ionization in InAlAs/InP single channel heterojunction field effect transistors
001634 (1999) Triple channel HEMT on InP (Camel HEMT) for large-signal high-speed applications
001793 (1998-12) «SIMULATION MONTE-CARLO EN REGIMES STATIQUE ET DYNAMIQUE DE HEMT DE LA FILIERE InP»
001795 (1998-12) ETUDE DES EFFETS PARASITES DANS LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION (HFET) SUR SUBSTRAT InP
001895 (1998-01) ETUDE DES EFFETS PARASITES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION ET CANAL DOPE (HFET) SUR InP
001934 (1998) Step-like heterostructure barrier varactor
001D94 (1996-06) Modèle de structure de bande et transport électronique en champ fort dans les semiconducteurs «trois-cinq». Application aux matériaux GaAs et InP
001E34 (1996-01) Èvolution des propriétés électriques et physiques aux basses températures de transistors à effet de champ à hétérojonction à grille courte sur substrat InP
001F78 (1996) A study of side gate test structures in InAlAs/InGaAs HEMTs for optoelectronic circuit applications
001F94 (1995-12) Etude et réalisation de transistors HEMT AlInAs/GaInAs/InP pour circuits opto-électroniques à hauts débits
002003 (1995-11) Photodiodes à avalanche à multi-puits quantiques AlInAs/GaInAs
002735 (1993) Behavior of InP:Fe under high electric field

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