Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Ideality »
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Icosahedral phase < Ideality < Identical active layer method  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 5.
Ident.Authors (with country if any)Title
000179 (2011) Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT under thermal and electrical stresses
001028 (2002) Effect of leakage current induced by B+H+ implantation in the isolation process for self passivated GaAlAs/GaInP/GaAs HBT
001D52 (1996-10) Contribution à la caractérisation des diodes Schottky Oxydées: Application au phosphure d'indium
002B10 (1990) Rectifying and photovoltaic parameters of indium telluride(p)-cadmium sulfide(n) thin film heterojunctions
002C43 (1989) Pseudomorphic GaInP Schottky diode and high electron mobility transistor on InP

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EXPLOR_STEP=IndiumV3/Data/France/Analysis
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i -k "Ideality" 
HfdIndexSelect -h $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/KwdEn.i  \
                -Sk "Ideality" \
         | HfdSelect -Kh $EXPLOR_AREA/Data/France/Analysis/biblio.hfd 

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{{Explor lien
   |wiki=   *** parameter Area/wikiCode missing *** 
   |area=    IndiumV3
   |flux=    France
   |étape=   Analysis
   |type=    indexItem
   |index=    KwdEn.i
   |clé=    Ideality
}}

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