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Serveur d'exploration sur l'Indium - Analysis (France)

Index « Keywords » - entrée « Gallium Arsenides phosphides »
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Gallium Arsenides nitrides < Gallium Arsenides phosphides < Gallium Complexes  Facettes :

List of bibliographic references

Number of relevant bibliographic references: 12.
Ident.Authors (with country if any)Title
000064 (2013) Efficiency limits of laser power converters for optical power transfer applications
000D29 (2003) Multiwafer gas source MBE development for InGaAsP/InP laser production
001374 (2000) TEM study of the morphological and compositional instabilities of InGaAsP epitaxial structures
001456 (2000) Electronic structure of interdiffused GaInAs(P)/GaInAsP quantum wells
001710 (1999) Investigation of strain induced patterning in superlattices by grazing incidence diffraction: comparison of morphological and strain ordering
001722 (1999) Hydrogenation of buried passive sections in photonic integrated circuits : a tool to improve propagation losses at ∼ 1.56 μm
001723 (1999) Hydrogen in Be-doped GaInAsP lattice matched to InP : diffusion and interactions with dopants
001749 (1999) Elastic stress relaxation in GaInAsP quantum wires on InP
001A39 (1998) A study of Be diffusion in InGaAsP layers grown by gas-source molecular beam epitaxy
001C91 (1997) DAFS study of strained III-V epitaxial semiconductors
002635 (1993) Lateral modulations in zero-net-strained GalnAsP multilayers growtn by gas source molecular-beam epitaxy
003056 (1985) Etude des matériaux spécifiques, l'épitaxie de semi-conducteurs composés et l'adaptation du masquage électronique à la WSI. Thème 2: épitaxie d'arséniure de gallium sur silicium

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