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Ident.	Authors (with country if any)	Title
001796 (1998-12)		ELABORATION D'HETEROSTRUCTURES A BASE D'ANTIMONIURES. ETUDE ET OPTIMISATION DE LA FORMATION DES INTERFACES InAs/GaSb ET GaSb/InAs
001976 (1998)		Long-wavelength (Ga,In)Sb/GaSb strained quantum well lasers grown by molecular beam epitaxy
001A77 (1997-10)		REALISATION ET ETUDE DE DIODES LASERS A BASE DE GaSb EMETTANT VERS 2.3 MICRONS POUR APPLICATION A L'ANALYSE DES GAZ
001E26 (1996-03)		Mesure des indices de réfraction de semiconducteurs III - V en structure guide d'onde
001F41 (1996)		Feasibility of 1.5 μm staircase solid state photomultipliers in the AlGaSb/GaInAsSb system
002328 (1994-01)		Elaboration par EJM de structures d'antimoniures. Application à l'optoélectronique
002397 (1994)		High-power low-threshold Ga0.88In0.12As0.10Sb0.90/Al0.47Ga0.53As0.04Sb0.96 double heterostructure lasers grown by liquid phase epitaxy
002470 (1993-10)		Etude de deux filières lasers émettant vers deux micromètres: filière accordée GaInAsSb/GaSb et filières désaccordée InAs/InP
002483 (1993-07)		Etude des hétérostructures GaInAsSb/GaSb et GaAlAsSb/GaSb et de composatns lasers et détecteurs à base GaSb opérant entre 2.0 et 2.5 micromètres
002523 (1993)		Wetting of III-V melts on crucible materials
002568 (1993)		Resonant and off-resonant phenomena in double-barrier interband tunneling structures
002779 (1992)		Sur des propriétés des surfaces de quelques semiconducteurs III-V déduites de mesures de photovoltage
002874 (1992)		InGaSb/GaSb photodiodes growth by MOVPE
002D15 (1988)		Diminution des densités de courant de seuil dans le cas d'une structure planaire antiguidante de type GaSb/GaInAsSb/GaSb par adjonction d'une couche métallique
002D41 (1988)		Some properties of semiconductor superlattices
002D77 (1988)		Investigations of the quantum photovoltaic effect in InAs-GaSb semiconductor superlattices
002E27 (1988)		Band-edge deformation potentials in a tight-binding framework
002E70 (1987)		Theory of the chemical shift at relaxed (110) surfaces of III-V semiconductor compounds
002E95 (1987)		Pressure-induced elimination of the hole gas in semimetallic GaSb-InAs-GaSb heterostructures
002F33 (1987)		Electronic states and quantum Hall effect in GaSb-InAs-GaSb quantum wells
002F52 (1987)		Analysis of threshold current density in 2•2 μm GaInAsSb/GaAlAsSb.GaSb DH lasers

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